[发明专利]化学机械研磨装置及其方法有效

专利信息
申请号: 201410098540.8 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN103831709A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 刘波;张中连 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: B24B37/04 分类号: B24B37/04;B24B37/34
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 化学 机械 研磨 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种化学机械研磨装置,包括:基座、位于所述基座上的清洁头加载/载出装置、向所述清洁头加载/载出装置输送晶圆的机械臂,所述清洁头加载/载出装置与机械臂通过空气管道连接至同一气体供应装置,其特征在于,在所述清洁头加载/载出装置的空气管道上设置第一调节阀,在所述机械臂的空气管道上设置第二调节阀。

2.如权利要求1所述的化学机械研磨装置,其特征在于,所述第一调节阀与第二调节阀为空气调节阀。

3.如权利要求1所述的化学机械研磨装置,其特征在于,所述第一调节阀与第二调节阀为手动调节阀。

4.如权利要求1所述的化学机械研磨装置,其特征在于,所述气体供应装置上设置有第三调节阀。

5.如权利要求1所述的化学机械研磨装置,其特征在于,所述第三调节阀控制流向所述第一调节阀与第二调节阀的气体。

6.如权利要求1所述的化学机械研磨装置,其特征在于,所述基座上还设置有研磨垫,所述清洁头加载/载出装置用于将晶圆加载至研磨垫以及载出研磨垫。

7.如权利要求6所述的化学机械研磨装置,其特征在于,所述研磨垫上方设置有研磨头,用于托住晶圆并下压至研磨垫上进行研磨。

8.一种化学机械研磨方法,其特征在于,使用权利要求1~7的化学机械研磨装置对晶圆进行化学机械研磨。

9.如权利要求8所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一调节阀的压力设定小于15帕斯卡。

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