[发明专利]比特失效检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器检测技术领域，特别是涉及一种比特（bit）失效检测方法。

背景技术

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性存储器，在断电情况下依然能够保持存储的数据信息。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，与EEPROM不同的是，闪存能够在字节水平上进行删除和重写，而不是整个芯片的擦写，从而使得闪存比EEPROM的更新速度更快。

在目前的闪存中，通常有着较大的容量，也就是具有相应数量的比特，在如此大量的比特中，其质量的优劣符合正态分布，因此，如何保证位于3σ之外的比特（tail bit，尾比特）的优劣，将直接制约着闪存的性能。

现有技术中常用方法为引入一边界系数margin1（M1），用于在读取“1”时检测电流的大小，所述M1的取值小于1，包括:40%，45%，50%，55%，60%，65%，70%及75%。通常状况，认为电流小于饱和电流是有风险的，大于饱和电流是足够安全的。因此测试筛选的目标定为将电流小的尾比特筛选出来。

但是，这种方法并不能够完全有效，例如若一个比特是弱擦除比特（weak erase tail bit），并且具有写入干扰现象（program punch through），这个比特的起始电流将比较大，即使经过写入干扰模式的测试后，电流还是很大，则这个比特是不能够被筛选出来。如图1所示，按照现有方法1对比特A进行检测，其起始电流是37μA，干扰模式的测试后后获得的检测电流是25μA，而按照判断标准，大于18μA（饱和电流）即为合格，因此会认为该比特A是正常的。但是若从客户端2进行耐久性测试（endurance cycle），由于经过耐久性测试，该比特的起始电流降为22μA，正常写入干扰模式就可以将该比特的电流降到10μA，从而出现失效，也就是说实际上该比特是异常的，应当在测试阶段被筛选出。因此，如何克服这一现象，将有效的提升产品的性能。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种比特失效检测方法，以提高对异常比特的检测效果，从而提高产品性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种比特失效检测方法，所述比特为弱擦除比特，且具有写入干扰现象，包括：

提供一参考电流及一边界系数，将待测比特的电流跟参考电流与边界系数的乘积作比较，若所述待测比特的电流大于参考电流与边界系数的乘积，则所述比特判定为失效；其中，所述边界系数大于等于1。

可选的，对于所述的比特失效检测方法，所述边界系数为100%～120%。

可选的，对于所述的比特失效检测方法，所述参考电流通过结合闪存中处于正态分布区间为（-3σ，3σ）的比特的电流而得。

与现有技术相比，本发明提供的比特失效检测方法中，使得所述边界系数大于等于1，从而结合参考电流，作为了比较的标准，若所述待测比特的电流大于参考电流与边界系数的乘积，则所述比特判定为失效。与现有技术相比，改变了边界系数的取值方向和比较内容，克服了现有技术在检测上的缺陷，在针对一些具有特殊性的比特时，能够有效的筛选出，从而提高了检测效果。

附图说明

图1为现有技术中比特失效检测方法的流程图；

图2为本发明实施例中比特失效检测方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的比特失效检测方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。