[发明专利]存储器单元、电可擦除可编程只读存储器及其控制方法在审
| 申请号： | 201410098682.4 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103886905A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 顾靖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 擦除 可编程 只读存储器 及其 控制 方法 | ||
1.一种存储器单元，其特征在于，包括：半导体衬底、字线、第一有源区和第二有源区；
所述字线、第一有源区和第二有源区均位于所述半导体衬底的上面，所述字线位于所述第一有源区和第二有源区之间；
所述字线与所述第一有源区之间设置有第一控制栅和第一浮栅，所述第一控制栅位于所述第一浮栅的上方；
所述字线与所述第二有源区之间设置有第二控制栅和第二浮栅，所述第二控制栅位于所述第二浮栅的上方；
其中，所述第一控制栅、第二控制栅、第一浮栅和第二浮栅的长度均相等。
2.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一控制栅、第二控制栅、第一浮栅和第二浮栅的长度均为0.1微米。
3.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述字线与所述半导体衬底之间设置有栅氧化层，所述栅氧化层的厚度在30埃以下。
4.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述存储器单元通过在所述第一有源区或第二有源区上加高电压擦除电荷。
5.如权利要求4所述的存储器单元，其特征在于，所述第一有源区为源区，所述第二有源区为漏极；或
所述第一有源区为漏区，所述第二有源区为源区。
6.一种电可擦除可编程只读存储器，其特征在于，包括：如权利要求1至5中任一项所述的存储器单元。
7.一种电可擦除可编程只读存储器的控制方法，其特征在于，包括：通过对如权利要求1至5中任一项所述的存储器单元的第一控制栅、第二控制栅、字线、第一有源区和第二有源区分别施加第一电压、第二电压、第三电压、第四电压和第五电压以实现擦除操作；
其中，所述第四电压和/或第五电压为高电压。
8.如权利要求7所述的电可擦除可编程只读存储器的控制方法，其特征在于，所述高电压的电压范围在为7V到9V之间。
9.如权利要求8所述的电可擦除可编程只读存储器的控制方法，其特征在于，所述第一电压和第二电压的电压范围均在-7V到-6V之间，所述第三电压的电压范围在0V以下。
10.如权利要求7所述的电可擦除可编程只读存储器的控制方法，其特征在于，所述第一电压、第二电压、第三电压、第四电压和第五电压分别是-6.5V、-6.5V、-2V、5.5V和5.5V。
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