[发明专利]MOSFET失配测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 201410098683.9 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839924A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 范象泉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 失配 测试 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOSFET失配测试结构，其特征在于，包括：多个检测单元，每个检测单元相互独立，所述多个检测单元呈阵列排布，所述阵列为m×n结构；其中，所述m、n为大于1的正整数。
2.如权利要求1所述的MOSFET失配测试结构，其特征在于，所述每个检测单元为边长是90nm～10000nm的矩形结构。
3.如权利要求1所述的MOSFET失配测试结构，其特征在于，所述多个检测单元由同一流程形成。
4.如权利要求1所述的MOSFET失配测试结构，其特征在于，所述MOSFET失配测试结构还引出有多个焊盘，所述焊盘的数量多于所述检测单元的数量。
5.如权利要求1所述的MOSFET失配测试结构，其特征在于，所述MOSFET失配测试结构还包括有空置单元，所述空置单元包围所述检测单元。
6.如权利要求1所述的MOSFET失配测试结构，其特征在于，所述阵列为2×2结构。
7.如权利要求1～6中任意一项所述的MOSFET失配测试结构的测试方法，其特征在于，包括：分别测量所述多个检测单元的电参数，以任意一个检测单元的电参数为基准分别算得其他检测单元的电参数与该检测单元的电参数的差值，以获取电参数的多个差值。
8.如权利要求7所述的测试方法，其特征在于，所述电参数包括电流和电压。
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