[发明专利]一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合阻变薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410099004.X | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103943777A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 朱国栋;胡静航;张剑驰 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控 温旋涂 制备 有机半导体 复合 薄膜 方法 | ||
1.一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合薄膜的方法，其特征在于采用可控温旋涂系统实现，所述可控温旋涂系统包括温控装置和温控仪，所述温控装置为一密封空腔，腔壁四周环绕电阻丝，电阻丝经220V电源通电加热，温控装置内温度由Pt100温度探头测量，所述Pt100温度探头由温控仪测控，温控装置内底部放置有旋涂机，所述旋涂机上部设有旋涂台，旋涂台上放置衬底；温控装置顶部开孔，设有滴液口，混合溶液从滴液口滴入温控装置内；具体步骤如下：
(1) 将铁电聚合物偏二氟乙烯与三氟乙烯的共聚物P(VDF-TrFE)溶于溶剂四氢呋喃中，配制质量浓度为1%－4%的溶液；
(2) 将有机半导体P3HT材料溶于步骤(1)得到的已溶有P(VDF-TrFE)的四氢呋喃溶液中，配制成混合溶液，其中：有机半导体P3HT材料与P(VDF-TrFE)的质量比为1:100-1:10；
(3) 将步骤(2)得到的混合溶液涂布于可控温旋涂系统的洁净衬底表面，采用旋涂工艺，经旋涂成膜，待溶剂四氢呋喃完全挥发后，即可获得有机半导体/铁电复合结构薄膜。
2.根据权利要求1所述的可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合薄膜的方法，其特征在于步骤(3)中通过改变环境温度，可实现有机半导体/铁电复合薄膜粗糙度的调控，当基片温度为50℃时，薄膜粗糙度最小。
3.根据权利要求1所述的可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合薄膜的方法，其特征在于温控装置内的控温精度为1℃，可控温度范围为室温至150℃。
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