[发明专利]与半导体器件的端接区相关的装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体区；

第一槽，其限定在所述半导体区内，所述第一槽具有沿着竖向轴线对齐的深度并且具有沿着与所述竖向轴线正交的第一纵向轴线对齐的长度，所述第一槽具有包括在所述半导体区的端接区中的所述长度的第一部分并且具有包括在所述半导体区的有源区中的所述长度的第二部分；

屏蔽电极，其设置在所述第一槽中；以及

电介质，其为所述第一槽的底部部分形成内衬，所述电介质具有设置在所述半导体区的所述端接区中的第一部分以及设置在所述半导体区的所述有源区中的第二部分，所述电介质的设置在所述端接区中的所述第一部分具有大于所述电介质的设置在所述有源区中的所述第二部分的竖直厚度的竖直厚度，所述电介质的所述第一部分的竖直厚度在所述端接区中在所述第一槽的底部表面与所述屏蔽电极的底部表面之间延伸，所述电介质的所述第二部分的竖直厚度在所述有源区中在所述第一槽的底部表面与所述屏蔽电极的底部表面之间延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一槽具有在所述端接区中的与所述竖向轴线正交对齐且与所述第一纵向轴线正交对齐的第一宽度，所述第一槽具有在所述有源区中的与所述竖向轴线正交对齐且与所述第一纵向轴线正交对齐的第二宽度，所述第一槽的第一宽度小于所述第一槽的第二宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述深度为在所述有源区中的第一深度，所述第一槽具有在所述端接区中的浅于所述第一深度的第二深度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：横向槽，其沿着与所述第一纵向轴线正交的第二纵向轴线对齐，所述横向槽在所述端接区中与所述第一槽的所述第一部分相交，

其中所述深度为在所述有源区中的第一深度，所述第一槽具有在所述端接区中的浅于所述第一深度的第二深度，所述横向槽具有不同于所述第一深度且不同于所述第二深度的第三深度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

所述半导体器件还包括：

第二槽，其与所述第一槽平行对齐；以及

所述横向槽与所述第一槽相交且与所述第二槽相交使得所述横向槽中的所述电介质与设置在所述第一槽中的电介质接触并且与设置在所述第二槽中的电介质接触。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一槽具有在所述横向槽的第一侧上的第一宽度，并且具有在所述横向槽的第二侧上的第二宽度，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一槽的所述第二部分包括设置在所述第二部分中的栅电极并且所述第一槽的所述第一部分不包括栅电极。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电介质的所述第一部分具有的底部表面的深度深于所述电介质的所述第二部分的底部表面的深度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电介质为第一电介质，

所述半导体器件还包括：

第二槽，其在与所述第一槽平行的方向上对齐；以及

第二电介质，其在垂直于所述平行方向的方向上为所述第二槽的在所述半导体区的所述有源区的侧向的底部部分形成内衬，

所述第二电介质具有的厚度等于所述第一电介质的在所述第一槽中的第一部分的竖直厚度。