[发明专利]直流电压产生电路及其脉冲产生电路有效

专利信息
申请号: 201410099308.6 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN104935302B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 林见儒;陈世杰;林志政;王士诚 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H03K3/02 分类号: H03K3/02;H02M3/155
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;赵根喜
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 栅极控制信号 逻辑信号 耦接 脉冲产生电路 输出端 直流电压产生电路 参考电压电平 控制信号 延迟信号 栅极接收 漏极 源极 脉冲信号
【说明书】:

发明公开了一种直流电压产生电路及其脉冲产生电路,该脉冲产生电路用来于一输出端产生一脉冲信号,包含:一P型场效应晶体管,其源极耦接第一参考电压电平,其漏极耦接该输出端,其栅极接收第一栅极控制信号;一N型场效应晶体管,其源极耦接第二参考电压电平,其漏极耦接该输出端,其栅极接收第二栅极控制信号;以及一逻辑电路,用来依据一控制信号及一第一逻辑信号产生该第一栅极控制信号,以及依据该控制信号及一第二逻辑信号产生该第二栅极控制信号;其中,该第一逻辑信号与该第二栅极控制信号及其延迟信号相关,及该第二逻辑信号与该第一栅极控制信号及其延迟信号相关。

技术领域

本发明是关于直流电压产生电路及其脉冲产生电路,尤其是关于能够避免短路电流(short current)的直流电压产生电路及其脉冲产生电路。

背景技术

请参阅图1,其为公知开关稳压器(switching regulator)的电路图。开关稳压器100包含串接于直流电压电平Vcc与地之间的P型场效应晶体管110及N型场效应晶体管120。P型场效应晶体管110的源极耦接至该直流电压电平Vcc,漏极耦接至节点LX,N型场效应晶体管120的源极耦接至地,漏极耦接至节点LX。P型场效应晶体管110的开关状态由栅极控制信号PG控制,当栅极控制信号PG为低电平时P型场效应晶体管110导通,反之则不导通。N型场效应晶体管120的开关状态由栅极控制信号NG控制,当栅极控制信号NG为高电平时N型场效应晶体管120导通,反之则不导通。栅极控制信号PG及NG分别经过延迟单元132及142后形成延迟信号PD及ND。延迟信号ND经过非门(NOT Gate)134反相后与控制信号CTRL一起输入与非门(NAND Gate)136,与非门136的输出即为栅极控制信号PG;类似的,延迟信号PD经过非门144反相后与控制信号CTRL一起输入或非门(NOR Gate)146,或非门146的输出即为栅极控制信号NG。

请参阅图2,其为公知开关稳压器100的控制信号及延迟信号的时序图。当控制信号CTRL由低电平转换至高电平时(欲开启P型场效应晶体管110),栅极控制信号NG立即由高电平转换至低电平,也就是立即将N型场效应晶体管120关闭,以避免P型场效应晶体管110与N型场效应晶体管120同时导通。经过一个延迟时间Td后,延迟信号ND由高电平转换至低电平,此时由于控制信号ND的反相信号及控制信号CTRL皆为高电平,所以经由与非门136输出的栅极控制信号PG转换为低电平,代表N型场效应晶体管120关闭经延迟时间Td后,P型场效应晶体管110才开启。再经过同样的延迟时间Td后,延迟信号PD由高电平转换为低电平,反应出P型场效应晶体管110为开启的状态。控制信号CTRL经过使能时间Ton后由高电平转换为低电平(欲开启N型场效应晶体管120),此时栅极控制信号PG立即由低电平转换为高电平,也就是立即将P型场效应晶体管110关闭,以避免P型场效应晶体管110与N型场效应晶体管120同时导通。经过延迟时间Td后,延迟信号PD由低电平转换为高电平,此时由于延迟信号PD的反相信号及控制信号CTRL皆为低电平,所以经由或门或非门146输出的栅极控制信号NG转换为高电平,代表P型场效应晶体管110关闭经延迟时间Td后,N型场效应晶体管120才开启。再经过同样的延迟时间Td后,延迟信号ND由低电平转换为高电平,反应出N型场效应晶体管120为开启的状态。如此藉由调整控制信号CTRL的工作周期便可以在节点LX产生连续的脉冲信号,脉冲信号经由电感152及电容154所组成的低通滤波电路150后,在输出端OUT产生直流电压。

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