[发明专利]信息处理方法及电子设备

说明书

本发明公开了一种信息处理方法及电子设备；所述方法包括：获得第一触发指令；通过输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至第一存储单元；检测所述第一存储单元对应的第一容量是否超过第一阈值，生成第一检测结果，所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量；当所述第一检测结果表征所述第一容量超过所述第一阈值时，将第二数据转存储至所述第二存储单元；其中，所述第二数据为所述第二存储单元所存储的第一数据中预设第一比例的数据。通过本发明的技术方案，在降低电子设备成本的同时，提高了电子设备的使用寿命、以及电子设备的读写响应性能。

技术领域

本发明涉及信息处理技术，尤其涉及一种信息处理方法及电子设备。

背景技术

采用三层单元（TLC，Trinary Level Cell）介质的NAND闪存（Flash）得到广泛使用，出于成本的考虑，使用TLC介质的固态硬盘（SSD，Solid State Disk）进入市场，但TLC介质的读写性能参数和使用寿命低于多层单元（MLC，Multi Level Cell）介质、以及单层单元（SLC，Single Level Cell）介质。

为降低SSD的成本，相关技术采用TLC介质作为SSD的存储介质的技术方案，将部分TLC模拟为SLC介质，并将新数据都存储至SLC，这就导致热点数据会被置换出去，需要频繁对TLC介质进行写入，这样对SSD的整体性能产生负面影响，同时也影响了SSD的使用寿命。

综上所述，如何在降低SSD的成本的同时，保证SSD的读写性能和使用寿命，相关技术尚无有效解决方案。

发明内容

本发明实施例提供一种信息处理方法及电子设备，能够在降低SSD的成本的同时，保证SSD的读写性能和使用寿命。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供一种信息处理方法，应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、以及输入单元，其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；所述方法包括：

获得第一触发指令；

通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元；

检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果，所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量；

当所述第一检测结果表征所述第一容量超过第一阈值时，将第二数据转存储至所述第二存储单元；其中，所述第二数据为所述第二存储单元所存储的第一数据中预设第一比例的数据。

本发明实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、以及输入单元；

其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；

所述电子设备还包括：获取单元、检测单元和控制单元；其中，

所述获取单元，用于获得第一触发指令；

通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元；

所述检测单元，用于检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果，所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量；

所述控制单元，用于当所述第一检测结果表征所述第一容量超过第一阈值时，将第二数据转存储至所述第二存储单元；其中，所述第二数据为所述第二存储单元所存储的第一数据中预设第一比例的数据。