[发明专利]电阻式随机存取存储器

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器，包括：

第一电极；

介电层，设置于该第一电极上；

至少一第一纳米结构，设置于该第一电极与该介电层之间，且该第一纳米结构包括：

多个第一群聚型金属纳米粒子，设置于该第一电极上，该些第一群聚型金属纳米粒子具有可氧化性；以及

多个第一包覆型金属纳米粒子，包覆该些第一群聚型金属纳米粒子，其中该些第一群聚型金属纳米粒子的扩散系数大于该些第一包覆型金属纳米粒子的扩散系数；以及

第二电极，设置于该介电层上。

2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该第一电极的材料包括过渡金属或其氮化物。

3.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该第一电极比该第二电极容易氧化。

4.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该介电层的材料包括高介电常数材料。

5.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第一群聚型金属纳米粒子与该第一电极具有相同的金属元素。

6.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第一群聚型金属纳米粒子的材料与该些第一包覆型金属纳米粒子的材料分别包括过渡金属。

7.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第一包覆型金属纳米粒子的电位高于该些第一群聚型金属纳米粒子的电位。

8.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第一包覆型金属纳米粒子的扩散系数大于该介电层的材料的扩散系数。

9.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第一包覆型金属纳米粒子的材料包括一种或两种以上金属。

10.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该第二电极的材料包括过渡金属或其氮化物。

11.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中还包括第一放热电极，且该第一电极设置于该第一放热电极上。

12.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，还包括至少一第二纳米结构，设置于该第二电极与该介电层之间，且该第二纳米结构包括：

多个第二群聚型金属纳米粒子，设置于该第二电极上，该些第二群聚型金属纳米粒子具有可氧化性；以及

多个第二包覆型金属纳米粒子，包覆该些第二群聚型金属纳米粒子，其中该些第二群聚型金属纳米粒子的扩散系数大于该些第二包覆型金属纳米粒子的扩散系数。

13.如权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第二群聚型金属纳米粒子与该第二电极具有相同的金属元素。

14.如权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第二群聚型金属纳米粒子的材料与该些第二包覆型金属纳米粒子的材料分别包括过渡金属。

15.如权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第二包覆型金属纳米粒子的电位高于该些第二群聚型金属纳米粒子的电位。

16.如权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第二包覆型金属纳米粒子的扩散系数大于该介电层的材料的扩散系数。

17.如权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第二包覆型金属纳米粒子的材料包括一种或两种以上金属。

18.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中还包括第二放热电极，设置于该第二电极上。