[发明专利]非易失性存储装置、读取数据方法、存储系统及操作方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储装置的方法，所述方法包括：

通过将第一读取电压施加到结合到存储装置的存储单元的第一字线，来执行读取操作以从所述存储单元读取数据；

确定在所述读取操作中读取的数据通过纠错码是否是可纠错的；以及

与在所述读取操作中读取的数据通过纠错码是否是可纠错无关地，执行读取重试操作以从所述存储单元读取数据；

响应于读取重试操作，确定与第一读取电压不同的可纠错读取电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中，响应于确定在所述读取操作中读取的数据通过纠错码是可纠错的来执行读取重试操作。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述存储单元与存储块的第一页相应，并且所述方法还包括：

通过将可纠错读取电压施加到结合到与存储块的第二页相应的存储单元的第二字线，来执行随后的读取操作以从与存储块的第二页相应的存储单元读取数据。

4.如权利要求3所述的方法，其中，在随后的读取操作中读取的数据通过纠错码可纠错的概率响应于执行读取重试操作而增大。

5.如权利要求3所述的方法，还包括：

根据在随后的读取操作中读取的数据通过纠错码是否可纠错选择性地执行或省略针对第二页的随后的读取重试操作，

其中，随后的读取重试操作的读取重试电压基于在读取重试操作所施加的第一读取重试电压与可纠错读取电压之间的关系。

6.如权利要求3所述的方法，其中，读取操作是指示在之前的读取操作中读取的数据的可靠性的软判决读取操作，其中，随后的读取操作是指示与第二页相应的存储单元的第一状态还是第二状态的硬判决读取操作。

7.如权利要求3所述的方法，其中，读取操作包括指示第一页相对于先前读取页的顺序的顺序读取操作，其中，随后的读取操作包括与第二页相对于第一页的顺序无关的随机读取操作。

8.如权利要求3所述的方法，其中，读取操作包括存储块的擦除之后的初始读取操作。

9.如权利要求3所述的方法，其中，可纠错读取电压与存储块相应，并且所述方法还包括：

针对多个存储块中的每一个存储块存储各个可纠错读取电压。

10.如权利要求3所述的方法，其中，第一字线和第二字线结合到远离存储块的边缘的各个存储单元。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

确定对包括所述存储单元的存储块先前执行的编程/擦除操作的数量，

其中，基于编程/擦除操作的数量选择性地执行读取重试操作。

12.如权利要求1所述的方法，其中，在读取重试操作期间施加到第一字线的读取重试电压的数量和/或读取重试电压之间的各个范围基于在读取操作中读取的数据通过纠错码是否可纠错而变化。

13.一种从非易失性存储装置读取数据的方法，所述方法包括：

通过将第一读取电压施加到第一字线，来执行针对结合到第一字线的存储单元的第一读取操作；

确定通过第一读取操作读取的数据是否是可纠错的，

执行第一读取重试，以获得最佳读取电平而不管通过第一读取操作读取的数据是否是可纠错的；

存储最佳读取电平，以使用所述最佳读取电平来执行随后的第二读取操作。

14.如权利要求13所述的方法，还包括：

通过将具有最佳读取电平的第二读取电压施加到第二字线来执行针对结合到第二字线的存储单元的第二读取操作；

根据通过第二读取操作读取的数据是否是可纠错的，来选择性地执行第二读取重试。