[发明专利]套刻工艺控制方法在审
申请号: | 201410099790.3 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN104934338A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 金乐群;赵新民;周孟兴 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;包姝晴 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 刻工 控制 方法 | ||
1.一种套刻工艺控制方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:
将显影后检测获取的显影后套刻误差结果直接发送至自动工艺控制系统;
自动工艺控制系统根据显影后套刻误差结果输出工艺控制的优化设置以改善工艺。
2.如权利要求1所述的套刻工艺控制方法,其特征在于,所述显影工艺前进行光刻工艺。
3.如权利要求1所述的套刻工艺控制方法,其特征在于,所述显影后检测完成后进行蚀刻工艺。
4.如权利要求3所述的套刻工艺控制方法,其特征在于,所述蚀刻工艺完成后进行蚀刻后检测,将蚀刻后检测获取的套准偏移数据发送至自动工艺控制系统;自动工艺控制系统根据该结果对工艺设置作进一步优化。
5.如权利要求4所述的套刻工艺控制方法,其特征在于,所述自动工艺控制系统反馈的优化设置包含:原套刻工艺参数去除显影后套刻误差和套准偏移数据所获得优化后的新套刻工艺参数。
6.如权利要求4或5所述的套刻工艺控制方法,其特征在于,所述套准偏移数据为蚀刻后套刻误差与显影后套刻误差的差值,且实时更新。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410099790.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种Flash器件及其制备方法
- 下一篇:大电流高电压整流管及设计工艺方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造