[发明专利]一种高速大电流的功率场效应管驱动电路

权利要求书

1.一种高速大电流的功率场效应管驱动电路，其特征在于，包括驱动前置电路、图腾柱电路、驱动后置电路，所述的驱动前置电路与驱动信号Vg相连，所述驱动后置电路与驱动对象Q3相连，所述图腾柱电路连接在驱动前置电路与驱动后置电路之间；所述的驱动前置电路由电容C1，电阻R1、R2、R3，二极管D1以及三极管T1、T2组成，所述的电容C1接在驱动信号Vg与三极管T2的基极之间；所述的电阻R1与电容C1并联，所述的电阻R2接在三极管T2基极与发射极之间，所述的电阻R3接在三极管T1的发射极与基极之间；所述的防反二极管D1正极与三极管T1的集电极相连，D1负极与三极管T2集电极相连；所述三极管T1为NPN型三极管，T1的发射极与+12V的电压相连，所述的三极管T2为PNP型三极管。

2.如权利要求1所述的一种高速大电流的功率场效应管驱动电路，其特征在于，所述的图腾柱电路由二极管D2、D3，电阻R4~R11，电容C2以及场效应管Q1和Q2组成；所述的防反二极管D2的正极与电阻R4相连，二极管D2的负极与场效应管Q1的门极相连，所述的防反二极管D3的正极与场效应Q2的门极相连，二极管D3的负极与电阻R8相连；所述电阻R4接在二极管D2正极与二极管D1正极两端，所述电阻R5接在场效应管Q1的漏极与门极之间，所述电阻R6接在场效应管Q1门极与电容C2两端，所述电阻R7接在场效应管Q1的源极与电容C2之间，所述电阻R8接在二极管D3的负极与二极管D1的正极之间，所述电阻R9接在电容C2与电阻R11之间所述电阻R10接在电容C2与场效应管Q2漏极之间，所述电阻R11接在场效应管Q2的门极与源极；所述的场效应管Q1为P通道型MOSFET，所述的场效应管Q2为N通道型MOSFET。

3.如权利要求1所述的一种高速大电流的功率场效应管驱动电路，其特征在于，所述的驱动后置电路由电阻R12~R13，二极管D4和D5、电容C3以及场效应管Q3组成，所述的电阻R12接在场效应管Q3与二极管C2之间，所述的电阻R13接在电阻R12与地之间，所述的击穿二极管D4的正极与击穿二极管D5的正极相连，二极管D4的负极与场效应管Q3的门极相连，所述击穿二极管D5的负极接地；所述场效应管Q3是N型MOSFET，场效应管Q3的源极接地。