[发明专利]具有被动元件的芯片堆叠中介结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有被动元件的芯片堆叠中介结构，包括：

中介层；

电容器，嵌于该中介层中或位于该中介层上，包括第一电极、介电质以及第二电极，其中该介电质位于该第一电极与该第二电极之间，部分的该第一电极未与该第二电极重叠，且部分该第二电极未与该第一电极重叠；

第一接触窗，与该第一电极连接；以及

第二接触窗，与该第二电极连接，

其中该第一接触窗与该第二接触窗在该中介层的同一侧。

2.如权利要求1所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构，还包括绝缘层，位于该中介层的第一侧，其中该第一接触窗与该第二接触窗位于该绝缘层中，且分别穿过该第一电极与该第二电极而延伸至该中介层中。

3.如权利要求1所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构，还包括第一绝缘层，位于该中介层的第一侧，其中该第一接触窗与该第二接触窗位于该第一绝缘层中，但未穿过该第一电极与该第二电极。

4.如权利要求3所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构，还包括

基板穿孔，位于该中介层中；以及

金属线，位于该第一绝缘层中且通过该基板穿孔上方。

5.如权利要求4所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构，还包括第二绝缘层，位于该中介层的该第一侧的表面与该第一绝缘层之间，其中该第一电极及该第二电极至少有部分介于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，且该金属线还延伸至该第二绝缘层中。

6.如权利要求4所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构，其中该金属线的尺寸与该基板穿孔的尺寸相同。

7.如权利要求4所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构，其中该金属线的尺寸与该基板穿孔的尺寸不同。

8.一种具有被动元件的芯片堆叠中介结构，包括：

中介层；

电容器，嵌于该中介层中或位于该中介层上，包括第一电极、介电质以及第二电极，其中该介电质位于该第一电极与该第二电极之间；

第一接触窗，与该第一电极连接；以及

第二接触窗，与该第二电极连接，

其中该第一接触窗与该第二接触窗在该中介层的不同侧。

9.如权利要求8所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构，还包括绝缘层，位于该中介层的第一侧，其中该第一接触窗位于该绝缘层中，且该第二接触窗位于该中介层中并延伸至该中介层的第二侧。

10.一种具有被动元件的芯片堆叠中介结构的制造方法，包括：

提供一中介层；

在该中介层中或该中介层上形成一电容器，该电容器包括第一电极、一介电质以及第二电极，其中该介电质位于该第一电极与该第二电极之间；

形成第一接触窗与该第一电极连接；以及

形成第二接触窗与该第二电极连接。

11.如权利要求10所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构的制造方法，其中形成该电容器的方法包括：依序形成该第一电极、该介电质以及该第二电极，其中部分的该第一电极未与该第二电极重叠，部分的该第二电极未与该第一电极重叠，且该第一接触窗与第二接触窗在该中介层的同一侧。

12.如权利要求11所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构的制造方法，还包括：

在该中介层的第一侧形成一绝缘层；以及

在该绝缘层与该中介层中形成一基板穿孔，同时于该绝缘层中形成该第一接触窗与该第二接触窗，该第一接触窗与该第二接触窗分别穿过该第一电极与该第二电极而延伸至该中介层中。

13.如权利要求11所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构的制造方法，还包括：

在该中介层的第一侧形成一绝缘层；

在该绝缘层与该中介层中形成一基板穿孔；以及

在该绝缘层中形成该第一接触窗与该第二接触窗，该第一接触窗与该第二接触窗未穿过该第一电极与该第二电极。

14.如权利要求11所述的具有被动元件的芯片堆叠中介结构的制造方法，还包括：

在该中介层中形成一基板穿孔；

在该中介层的第一侧形成第一绝缘层；以及

在形成该第一接触窗与该第二接触窗的同时，在该第一绝缘层中形成通过该基板穿孔上方的一金属线。