[发明专利]一种高解析度OLED器件及制造用掩膜板无效
申请号: | 201410100733.2 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN103872091A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 田朝勇 | 申请(专利权)人: | 四川虹视显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 解析度 oled 器件 制造 用掩膜板 | ||
技术领域
本发明属于有机发光二极管(OLED)显示技术领域,涉及OLED显示面板的像素排列结构,具体涉及一种高解析度的OLED器件面板结构以及用于制造所述OLED面板的掩膜板。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术,可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。但是近期市场上的智能手机等个人移动产品对显示屏提出了越来越高的分辨率要求,屏幕解析度(即像素密度)已高达400ppi,甚至以后的发展趋势将超过500ppi,这对OLED现有技术形成了巨大的挑战。因为OLED现有技术,其发光像素的排列方式一般采用与LCD类似的RGB条状排列,如图1中a所示,当屏幕解析度在300ppi以上时,这种排列方式要求蒸镀有机发光材料所用的精细金属掩模板(FMM)的开口及连接桥(连接相邻开孔的肋骨)均非常细小,致使不但掩模板(MASK)加工难度非常大,而且MASK对位精度、MASK阴影、MASK变形等因素将严重影响有机发光材料蒸镀形成精细的彩色化像素图案。行业内为解决该问题,韩国三星等领先企业虽也提出了“PenTile RGB”的像素排列方式,如图1中b所示,但该排列方式存在图像串扰加重、莫尔效应明显、斜线锯齿恶化及需特别的驱动方法等问题;甚至也提出了采用LITI(激光热转印)等新技术取代FMM技术制备彩色化像素图案,但这些新技术需增加生产设备和原材料、增加制程工序、增加额外的制程工艺,且目前技术不成熟,还不能用于量产或量产时良率低下。即便如此,这些技术解决方案仍难以生产450ppi以上的超高解析度OLED显示屏。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有的OLED像素排列结构方式在采用现有的制作工艺生产时,由于掩膜板加工难度及对位精度等问题,很难做出高解析度的OLED面板,提出了一种可以降低对掩膜板加工精度的限制的高解析度OLED器件以及专用于所述OLED器件制造的掩膜板。
本发明的技术方案为:一种高解析度OLED器件,其特征在于,包括呈矩阵排布的像素单元,单个像素单元包括四个像素,单个像素包括红、绿、蓝三色子像素;红、绿、蓝三色子像素在像素中按品字形排布,像素单元中相邻像素的红、绿、蓝三色子像素关于像素的公共边缘对称。
进一步的,所述像素中红、绿、蓝三色子像素均为矩形区域,且纵向排列的两个子像素的宽度之和与横向排列的子像素的长度一致。
一种高解析度OLED器件制造用掩膜板,包括开孔和桥,其特征在于,所述开孔与颜色相同的所有相邻子像素组成的区域一致,桥与所有非开孔对应颜色的子像素组成的区域一致。
本发明的有益效果:本发明的高解析度OLED器件,按照红、绿、蓝发光子像素呈“品”字形且相同颜色的子像素每四个一组呈“田”字形排列的像素排列方式。其制备方法基于业内成熟的FMM技术,但由于前述特别的像素排列方式,蒸镀有机发光材料所用的MASK采用网孔状设计,且每一个开孔对应四个子像素。这样在解析度相同的情况下,MASK开孔及连接桥的尺寸均更大,可以降低对制程工艺的要求,有利于提高产品良率;更重要的是,在MASK开孔及连接桥的尺寸与现有技术相当的情况下,本发明所述技术方案可以生产更高解析度的OLED显示屏,达到近600ppi。因此本发明能够基于业内成熟的FMM技术制备高解析度的OLED显示屏,或者,在解析度相同的情况下,可以降低对MASK加工及OLED显示屏制程工艺的要求,有利于提高产品良率。
附图说明
图1中a和b分别为两种现有的OLED子像素排列方式;
图2为本发明一实施例的高解析度OLED器件结构原理图;
图3为蒸镀图2所示OLED器件某一颜色使用的掩膜板结构示意图;
图4为蒸镀图2所示OLED器件某一颜色使用的掩膜板结构示意图;
图5为蒸镀图2所示OLED器件某一颜色使用的掩膜板结构示意图。
具体实施方式
本发明的以下实施例是依据本发明的原理而设计,本发明技术方案保护的范围包括但不限于以下具体实施例的范围,下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的阐述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的