[发明专利]射频放大电路以及功率放大模块

说明书

技术领域

本发明涉及一种射频放大电路、以及使用该射频放大电路来构成的功率放大模块。

背景技术

在移动电话等移动体通信机中，为了放大发送给基站的射频(RF:Radio Frequency)信号的功率，使用无线频率放大电路。在这样的RF放大电路中，包含放大RF信号的放大电路、以及用于对构成该放大电路的晶体管施加偏压的偏压电路(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1特开平11-330866号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

图16是记载在专利文献1中的现有技术，是表示放大电路以及偏压电路的一般结构的图。放大电路1601将输入至基极的RF信号(RF_IN)进行放大，并输出经放大后的RF信号(RF_OUT)。偏压电路1602用于将偏压施加到构成放大电路1601的晶体管1603，形成为射极跟随器的结构。此外，构成偏压电路 1602的晶体管1604的集电极大多被施加有电池电压V_BAT。

在上述结构中，若将晶体管1603、1604例如设为异质结双极晶体管 (HBT:heterojunction bipolar transistor)，则各晶体管的集电极/发射极间电压V_BE为1.3V左右，因此为了对晶体管1604进行驱动，电池电压V_BAT需要2.8V左右。因此，电池电压V_BAT的最低电压一般设置为例如2.9V左右。

然而，近年来，在移动电话等移动体通信机中，为了提高通话时间或通信时间，要求将电池电压V_BAT的最低电压降低到例如2.5V左右。但是，在使用上述射极跟随器型偏压电路1602的结构中，由于电池电压V_BAT需要2.8V左右，因此无法应对上述要求。

本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于，能够以低电压来驱动射频放大电路。

解决技术问题的技术方案

本发明的一个方面所涉及的射频放大电路包括:放大晶体管，该放大晶体管将通过匹配电路输入至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏压用晶体管，该第1偏压用晶体管与放大晶体管进行电流镜连接，将偏压提供给放大晶体管；以及第2偏压用晶体管，该第2偏压用晶体管与放大晶体管的基极进行射极跟随器连接，将偏压提供给放大晶体管。

发明效果

根据本发明，基于上述理由，能以低电压来驱动射频放大电路。

附图说明

图1是表示包含本发明的实施方式的功率放大模块在内的发送单元的结构例。

图2A是表示功率放大模块的一个结构例的图。

图2B是表示功率放大模块的另一个结构例的图。

图2C是表示功率放大模块的另一个结构例的图。

图3是表示控制电压生成电路的一个结构例的图。

图4A是表示RF放大电路的一个结构例的图。

图4B是表示RF放大电路的另一个结构例的图。

图4C是表示RF放大电路的另一个结构例的图。

图5是表示提供偏压的原理的图。

图6是表示开关电容(switched capacitor)的结构的图。

图7A是表示功率放大模块的另一个结构例的图。

图7B是表示功率放大模块的另一个结构例的图。

图7C是表示功率放大模块的另一个结构例的图。

图8是表示控制电压生成电路的另一个结构例的图。

图9A是表示RF放大电路的另一个结构例的图。

图9B是表示RF放大电路的另一个结构例的图。

图9C是表示RF放大电路的另一个结构例的图。

图10是表示图4A所示的RF放大电路中、控制电压V_CONT与增益特性的关系的一个示例的图。

图11是表示图9A所示的RF放大电路中、控制电压V_CONT1与增益特性的关系的一个示例的图。

图12是表示在将控制电压V_CONT1维持在规定电平的状态下、改变控制电压 V_CONT2时的增益特性的变化的一个示例的图。

图13A是表示功率放大模块的另一个结构例的图。

图13B是表示功率放大模块的另一个结构例的图。

图13C是表示功率放大模块的另一个结构例的图。