[发明专利]一种氧化物替代式图形衬底的制备方法在审
申请号: | 201410101341.8 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN103887166A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 韩沈丹;缪炳有;张汝京;黄宏嘉 | 申请(专利权)人: | 西安神光安瑞光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/3105 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 倪金荣 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化物 替代 图形 衬底 制备 方法 | ||
1.一种氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
1)在蓝宝石衬底表面生长一层SiO2薄膜;
2)在长有SiO2薄膜的蓝宝石衬底表面旋涂一层光刻胶;
3)通过步进式光刻机对步骤2)中的蓝宝石衬底进行曝光、显影后得到表面有圆柱型光刻胶掩膜的蓝宝石衬底;
4)对步骤3)中的蓝宝石衬底进行湿法腐蚀,SiO2薄膜在圆柱型光刻胶掩膜的保护下被BOE溶液腐蚀出特定的图形阵列,直至露出蓝宝石表面;
5)去除光刻胶,采用稀释的BOE溶液对图形化的SiO2薄膜进行过腐蚀,利用湿法腐蚀制备出氧化物替代式图形衬底。
2.根据权利要求1所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤1)中SiO2薄膜厚度是1.5μm~3.0μm。
3.根据权利要求1所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤2)中光刻胶的厚度是2.0μm~3.0μm。
4.根据权利要求3所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤3)中的曝光能量是150ms~200ms,焦距:0.5~1.0,显影后得到圆柱型光刻胶掩膜D=2μm,space=1μm,135℃下烘烤10min。
5.根据权利要求4所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤4)用BOE溶液对蓝宝石衬底进行湿法腐蚀,室温下BOE溶液浓度越大腐蚀速率越大,BOE稀释溶液是体积比BOE:H2O=1:2~1:10;将腐蚀速率控制在100~300nm/min。
6.根据权利要求5所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述BOE溶液是体积比HF:NH4F=1:6的缓冲氧化物刻蚀液。
7.根据权利要求6所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤5)通过硫酸、双氧水混合溶液:体积比H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1去除光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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