[发明专利]一种氧化物替代式图形衬底的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410101341.8 申请日: 2014-03-18
公开(公告)号: CN103887166A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 韩沈丹;缪炳有;张汝京;黄宏嘉 申请(专利权)人: 西安神光安瑞光电科技有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/3105
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 倪金荣
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化物 替代 图形 衬底 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:

1)在蓝宝石衬底表面生长一层SiO2薄膜;

2)在长有SiO2薄膜的蓝宝石衬底表面旋涂一层光刻胶;

3)通过步进式光刻机对步骤2)中的蓝宝石衬底进行曝光、显影后得到表面有圆柱型光刻胶掩膜的蓝宝石衬底;

4)对步骤3)中的蓝宝石衬底进行湿法腐蚀,SiO2薄膜在圆柱型光刻胶掩膜的保护下被BOE溶液腐蚀出特定的图形阵列,直至露出蓝宝石表面;

5)去除光刻胶,采用稀释的BOE溶液对图形化的SiO2薄膜进行过腐蚀,利用湿法腐蚀制备出氧化物替代式图形衬底。

2.根据权利要求1所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤1)中SiO2薄膜厚度是1.5μm~3.0μm。

3.根据权利要求1所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤2)中光刻胶的厚度是2.0μm~3.0μm。

4.根据权利要求3所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤3)中的曝光能量是150ms~200ms,焦距:0.5~1.0,显影后得到圆柱型光刻胶掩膜D=2μm,space=1μm,135℃下烘烤10min。

5.根据权利要求4所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤4)用BOE溶液对蓝宝石衬底进行湿法腐蚀,室温下BOE溶液浓度越大腐蚀速率越大,BOE稀释溶液是体积比BOE:H2O=1:2~1:10;将腐蚀速率控制在100~300nm/min。

6.根据权利要求5所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述BOE溶液是体积比HF:NH4F=1:6的缓冲氧化物刻蚀液。

7.根据权利要求6所述的氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述步骤5)通过硫酸、双氧水混合溶液:体积比H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1去除光刻胶。

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