[发明专利]NbVN硬质纳米薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201410101562.5 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103898456A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 许俊华;喻利花;胡红霞 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nbvn 硬质 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.NbVN硬质纳米薄膜，其特征在于是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上得到的，薄膜分子式为（Nb,V）N，厚度为1～3μm，V含量为0～50at.%且大于0，NbVN薄膜的摩擦系数在室温至700℃范围随着温度的升高而降低。
2.权利要求1所述的NbVN硬质纳米薄膜的制备方法，其特征在于是利用双靶共焦射频反应法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的，厚度1～3μm，V含量为0～50at.%且大于0，沉积时，真空度<3.0×10-3Pa,以氩气起弧，氮气为反应气体；溅射气压0.3Pa、氩氮流量比10:（1～10），Nb靶溅射功率100～300W，V靶溅射功率0～150W。
3.根据权利要求2所述的NbVN硬质纳米薄膜的制备方法，其特征在于在基体上先沉积纯Nb作为过渡层。
4.根据权利要求2所述的NbVN硬质纳米薄膜的制备方法，其特征在于Nb靶溅射功率200W，V靶溅射功率60W。
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