[发明专利]一种器件隔离沟槽表面修复的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种器件的表面的修复方法，具体的涉及一种器件隔离沟槽表面修复的方法。

背景技术

在超大规模集成电路中，很多器件需要形成在同一芯片上，为了防止各器件的漏电，需要对其进行隔离。隔离技术一般为浅槽隔离(STI)以及最近兴起的深沟槽隔离(DTI),由于沟槽的形成需要对硅衬底进行蚀刻，因此会造成硅衬底的损伤，这时就需要对这一现状进行解决。现有技术采用炉管在氧气的气氛下与硅衬底反应，利用热生长氧化硅来修复损伤缺陷，但是其需要很高的温度(800～1050℃),热预算较大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种在低温条件下器件隔离沟槽表面修复的方法。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种器件隔离沟槽表面修复的方法，包括以下步骤，

步骤一，利用等离子体将氧气进行去耦化处理，形成氧自由基；

步骤二，将步骤一形成的氧自由基与沟槽表面进行反应，形成去耦等离子体氧化物，修复沟槽表面的缺陷。

本发明的有益效果是：本发明利用等离子体将氧气进行去耦合化处理，形成高能的氧自由基，与基底硅进行反应，形成氧化物(俗称DPO:去耦氧化物)，修复沟槽表面缺陷，其所需温度较低，一般为300～400℃，降低了热预算。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述氧自由基与沟槽表面进行反应所需的温度范围为300～400℃。

采用上述进一步方案的有益效果是：温度为300～400℃，使得快速地修复沟槽表面缺陷，效果更好。

进一步，所述等离子体将氧气进行去耦化处理的过程中，所需的腔体压力为10～100mT，氧气的流量为120～330毫升每分，射频功率为1～3KW。

采用上述进一步方案的有益效果是：腔体压力为10～100mT，氧气的流量为120～330毫升每分，射频功率为1～3KW，使得制得的氧自由基更加纯净，更易制得，效果更好。

附图说明

图1为本发明一种器件隔离沟槽表面修复的方法的流程图；

图2为本发明一种器件隔离沟槽表面修复的方法的修复状态图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、硅衬底，2、沟槽，3、缺陷，4、二氧化硅修复层。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

如图1所示，一种器件隔离沟槽表面修复的方法，首先利用等离子体将氧气进行去耦化处理，得到氧自由基，所述等离子体将氧气进行去耦化处理的过程中，腔体压力为10～100mT（mT即毫托），氧气的流量为120～330毫升每分，射频功率为1～3KW；然后将氧自由基与沟槽表面进行反应，形成去耦等离子体氧化物，即氧自由基与沟槽表面的硅反应形成二氧化硅，所述氧自由基与沟槽表面进行反应的温度范围为300～400℃；所述氧自由基与沟槽表面的硅反应形成的二氧化硅填充沟槽表面的缺陷，使其致密平整，进而达到修复沟槽表面的缺陷的效果。图2为本发明一种器件隔离沟槽表面修复的方法的修复状态图，在器件隔离沟槽没有修复之前，硅衬底1的沟槽2中存在沟槽刻蚀造成的缺陷3，当采用氧气去耦化处理得到的氧自由基与沟槽2表面的硅发生反应，形成二氧化硅修复层4，修复了沟槽2表面的缺陷3。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。