[发明专利]基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，该存储器包括：

上电极；

下电极；以及

形成于上电极与下电极之间的钇铁石榴石薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，所述上电极与下电极采用的材料为金属Ti或Pt。

3.根据权利要求1所述的基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，所述钇铁石榴石薄膜为多晶的钇铁石榴石薄膜，厚度为20至200nm。

4.一种基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：

选择并清洗衬底；

在清洗后的衬底上制备下电极；

在下电极上制备钇铁石榴石薄膜，并对钇铁石榴石薄膜进行热退火处理；以及在钇铁石榴石薄膜上制备上电极。

5.根据权利要求4所述的基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器的制备方法，其特征在于，所述选择并清洗衬底的步骤中，衬底是选用硅片，对衬底进行清洗是先将硅片分别放在丙酮和酒精中用超声波各清洗10分钟，然后用塑料夹子取出放入去离子水中用超声波清洗5分钟。

6.根据权利要求4所述的基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器的制备方法，其特征在于，所述在清洗后的衬底上制备下电极的步骤中，是采用电子束蒸发工艺，在清洗后的衬底上生长Ti或Pt/Ti作为下电极。

7.根据权利要求4所述的基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器的制备方法，其特征在于，所述在下电极上制备钇铁石榴石薄膜的步骤，具体包括：

步骤1：将制备有下电极的衬底固定在衬底台上，Y₃Fe₅O₁₂靶材固定在磁控溅射制膜系统的靶台上，并将衬底台和靶台均放置于磁控溅射制膜系统的生长室中；

步骤2：采用真空泵通过机械泵和分子泵的接口阀对生长室抽真空，直至生长室的气压小于2.0×10^-4Pa；

步骤3：采用外部气路系统从充气阀向生长室中通入流量为50sccm的氩气；

步骤4：启动射频发射器，调节接口阀使反应室内起辉；

步骤5：根据薄膜沉积速率，确定沉积时间，在衬底上沉积厚度为20-200nm的Y₃Fe₅O₁₂薄膜。

8.根据权利要求4所述的基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器的制备方法，其特征在于，所述对钇铁石榴石薄膜进行热退火处理的步骤中，是在氧气环境和650℃温度条件下进行30分钟的热退火处理。

9.根据权利要求4所述的基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器的制备方法，其特征在于，所述在钇铁石榴石薄膜上制备上电极的步骤中，是采用采用电子束蒸发工艺，在Y₃Fe₅O₁₂薄膜上生长Ti或Pt作为上电极。