[发明专利]一种多晶硅铸锭方法

说明书

技术领域

本发明涉及形核源铸锭技术领域，特别涉及一种多晶硅铸锭方法。

背景技术

形核源技术是高效多晶铸锭技术的应用基础，主要是通过在坩埚底部铺设一些形核材料，在硅液熔化后再在形核材料上形核，使形核及晶体质量提高的技术。

现有诱导形核源铸锭技术主要缺点有：

1、坩埚底部形核源稳定性差，经常无法实现提高铸锭质量提高的效果；

2、涂层上部碎硅片等形核源稳定性差，成本高。

因此，针对上述情况，如何提升形核源诱导技术的稳定性，成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种多晶硅铸锭方法，通过双层形核源技术提升形核源诱导技术的稳定性。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种多晶硅铸锭方法，包括步骤S1铺设形核源、S2填料和S3熔化长晶，步骤S1铺设形核源为在坩埚底部铺设多层形核源，相邻的两层形核源之间喷涂脱模剂形成保护层。

优选的，步骤S1铺设形核源具体包括：

S11、在坩埚底部铺设第一层形核源，然后进入步骤S12；

S12、在第一层形核源上喷涂脱模剂形成保护层，然后进入步骤S13；

S13、在保护层上铺设第二层形核源，然后进入步骤S2。

优选的，在步骤S11中，第一层形核源的材料采用硅、氧化硅或者碳化硅中的一种或者多种的混合。

优选的，在步骤S11中，第一层形核源通过筛撒或喷涂的方式均匀分散在坩埚底部，再喷洒粘合剂吸附在坩埚底部。

优选的，在步骤S11中，在坩埚底部铺设50-500g第一层形核源。

优选的，在步骤S12中，脱模剂采用氮化硅。

优选的，在步骤S13中，第二层形核源的材料采用硅、氧化硅或者碳化硅中的一种或者多种的混合。

优选的，在步骤S13中，第二层形核源通过喷涂、刷涂或撒布的方式粘附在保护层上。

优选的，在步骤S13中，在保护层上铺设50-500g第二层形核源。

从上述的技术方案可以看出，本发明提供的多晶硅铸锭方法，通过第二层形核源直接与硅熔体以及长晶初期的接触，其优异的形核质量大幅度提高多晶铸锭质量即提高多晶硅片质量；而脱模剂保护层则是保护第一层形核源以及确保硅锭脱模的作用；第一层形核源则确保形核源在硅熔化以及长晶的过程中始终会有形核源接触，同时填补第二层形核源在形核过程中有可能的不稳定因素，使得多晶铸锭在形核初期始终会与优质形核源接触，最终生产优质多晶铸锭出来。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的多晶硅铸锭方法的流程图。

具体实施方式

本发明公开了一种多晶硅铸锭方法，通过双层形核源技术提升形核源诱导技术的稳定性。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，图1为本发明实施例提供的多晶硅铸锭方法的流程图。

本发明实施例提供的多晶硅铸锭方法，包括步骤S1铺设形核源、S2填料和S3熔化长晶等后续步骤，其核心改进点在于，步骤S1铺设形核源为在坩埚底部铺设多层形核源，相邻的两层形核源之间喷涂脱模剂形成保护层。

本方案具体提供了多晶铸锭双层形核源技术，步骤S1铺设形核源包括：

S11、在坩埚底部铺设第一层形核源，然后进入步骤S12；

S12、在第一层形核源上喷涂脱模剂形成保护层，然后进入步骤S13；

S13、在保护层上铺设第二层形核源，然后进入步骤S2。当然，还可以根据实际需要铺设更多层的形核源，或者先在坩埚底部上喷涂脱模剂形成保护层，形成第一层形核源与坩埚底部之间的隔层。