[发明专利]光电二极管、其制作方法及图像传感器件

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：

N型掺杂区，形成在衬底的内部；

第一P型掺杂区，形成在所述N型掺杂区的内部；

第二P型掺杂区，形成在所述衬底中，位于所述N型掺杂区上方，且下表面与所述N型掺杂区相连；

所述光电二极管中，

包括一个所述第一P型掺杂区时，所述第一P型掺杂区位于垂直于所述衬底表面的所述N型掺杂区的中心线上；

包括多个所述第一P型掺杂区时，多个所述第一P型掺杂区对称地设置在垂直于所述衬底表面的所述N型掺杂区的中心线的两侧。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管中包括一个或多个所述第一P型掺杂区，且所述第一P型掺杂区的总体积与所述N型掺杂区的体积之比＜0.2。

3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一P型掺杂区中P型离子的掺杂量与所述N型掺杂区中N型离子的掺杂量之比为1.05～1.2。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电二极管，其特征在于，所述第二P型掺杂区的厚度为所述N型掺杂区厚度的1/10～1/20。

5.一种光电二极管的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：

对衬底的上表面进行掺杂形成N型掺杂预备区；

对所述N型掺杂预备区的内部进行掺杂，形成第一P型掺杂区；

对所述衬底的上表面进行二次掺杂，以在所述第一P型掺杂区的上方形成第二P型掺杂区，并形成与所述第二P型掺杂区下表面相连的N型掺杂区；

所述光电二极管中，

包括一个所述第一P型掺杂区时，所述第一P型掺杂区位于垂直于所述衬底表面的所述N型掺杂区的中心线上；

包括多个所述第一P型掺杂区时，多个所述第一P型掺杂区对称地设置在垂直于所述衬底表面的所述N型掺杂区的中心线的两侧。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述N型掺杂预备区的步骤中，掺杂离子的浓度为1.0E+17～1.0E+21atoms/cm³，掺杂离子的注入能量为100～400Kev。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一P型掺杂区的步骤中，对所述N型掺杂预备区的内部进行掺杂，形成与所述N型掺杂区的体积之比＜0.2的所述第一P型掺杂区。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一P型掺杂区的步骤中，掺杂离子的浓度为1.05E+17～1.2E+21atoms/cm³，掺杂离子的注入能量为300～600Kev。

9.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二P型掺杂区和N型掺杂区的步骤中，对所述衬底的上表面进行二次掺杂，形成厚度为所述N型掺杂区的厚度1/10～1/20的所述第二P型掺杂区。

10.一种图像传感器件，包括设置于衬底上的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管为权利要求1至4中任一项所述的光电二极管。