[发明专利]一种硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法及其应用

权利要求书

1.一种硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于所述方法按如下步骤进行：

（1）在硅基底面上沉积一层绝缘层，所述绝缘层的材料选自SiO₂、Si₃N₄或SiC；

（2）以光刻胶作掩膜，对绝缘层进行刻蚀，将硅基底面与非晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；

（3）在开设有开槽区的硅基底面的绝缘层上沉积一层非晶硅，非晶硅在所述的开槽区与硅基导通；

（4）所述的非晶硅与玻璃进行阳极键合。

2.如权利要求1所述的硅基绝缘层上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于步骤（1）中绝缘层的沉积采用下列方法之一：①采用等离子体增强型化学气相沉积法在硅基底面上沉积绝缘层；②采用低压化学气相沉积工艺沉积薄膜的方法。

3.如权利要求1所述的硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于步骤（1）中绝缘层的厚度为0.5～1μm。

4.如权利要求1所述的硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于步骤（2）中所述对绝缘层进行刻蚀采用RIE刻蚀或湿法腐蚀。

5.如权利要求1所述的硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于步骤（3）中非晶硅的沉积过程采用等离子体增强型化学气相沉积法进行。

6.如权利要求1所述的硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于步骤（3）中硅基底面的绝缘层上沉积的非晶硅的非开槽区厚度为2～4μm。

7.如权利要求1～6之一所述的硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于所述的硅基上与玻璃键合面区域存在高压敏感结构。

8.如权利要求1～6之一所述的硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于所述的硅基为N或P型硅基底。

9.如权利要求1所述的硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于步骤（4）中，所述的非晶硅与玻璃进行阳极键合时的工艺参数为：电压300～1000V，电流15～25mA，温度300～400℃，压力2000～3000N，时间5～20min。

10.如权利要求9所述的硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于步骤（4）中，所述的非晶硅与玻璃进行阳极键合的时工艺参数为：电压450～1000V，电流20～25mA，温度350～380℃，压力2500～3000N，时间10～20min。