[发明专利]实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构及方法

权利要求书

1.一种实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：

第一PMOS场效应管，该第一PMOS场效应管的输入端与供电电源相连接；

第二PMOS场效应管，该第二PMOS场效应管的输入端与供电电源相连接；

感性负载，该感性负载的第一端与所述的第一PMOS场效应管的输出端相连接，该感性负载的第二端与所述的第二PMOS场效应管的输出端相连接；

第一NMOS场效应管，该第一NMOS场效应管的输入端与感性负载的第一端相连接；

第二NMOS场效应管，该第二NMOS场效应管的输入端与感性负载的第二端相连接；

负载电流采样电阻，该负载电流采样电阻的第一端分别与所述的第一NMOS场效应管的输出端和第二NMOS场效应管的输出端相连接，该负载电流采样电阻的第二端接地；

第一比较器，该第一比较器的第一输入端输入第一渐变参考信号，该第一比较器的第二输入端与所述的负载电流采样电阻的第一端相连接；

第二比较器，该第二比较器的第一输入端输入第二渐变参考信号，该第二比较器的第二输入端与所述的负载电流采样电阻的第一端相连接；

第一控制器，用以根据所述的第一比较器的输出结果控制第一PMOS场效应管的开闭，该第一控制器连接于所述的第一比较器的输出端和第一PMOS场效应管之间；

第二控制器，用以根据所述的第二比较器的输出结果控制第二PMOS场效应管的开闭，该第二控制器连接于所述的第二比较器的输出端和第二PMOS场效应管之间。

2.根据权利要求1所述的实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构，其特征在于，所述的第一控制器用于当所述的第一比较器的第二输入端的电压大于第一输入端的电压时关闭第一PMOS场效应管以及当所述的第一比较器的第二输入端的电压小于第一输入端的电压时打开第一PMOS场效应管；

所述的第一渐变参考信号在系统预设时间内从系统预设最大值变换为0V。

3.根据权利要求1所述的实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构，其特征在于，所述的第二控制器用于当所述的第二比较器的第二输入端的电压大于第一输入端的电压时关闭第二PMOS场效应管以及当所述的第二比较器的第二输入端的电压小于第一输入端的电压时打开第二PMOS场效应管；

所述的第二渐变参考信号在系统预设时间内从0V变换为系统预设最大值。

4.根据权利要求1所述的实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括：

第一开关，该第一开关连接于所述的负载电流采样电阻的第一端与所述的第一比较器的第二输入端之间，所述的第一开关当所述的第一比较器的第二输入端输入电流为零时断开；

第二开关，该第一开关连接于所述的负载电流采样电阻的第一端与所述的第二比较器的第二输入端之间，所述的第二开关当所述的第二比较器的第二输入端输入电流为零时导通。

5.一种基于权利要求1至4中任一项所述的电路结构实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：

（1）在换相前提前系统预设时间启动第一比较器而关闭第二比较器，所述的第一控制器根据所述的第一比较器的输出结果控制第一PMOS场效应管的开闭；

（2）当所述的负载电流采样电阻通过的电流降为零时，启动第二比较器而关闭第一比较器，所述的第二控制器根据所述的第二比较器的输出结果控制第二PMOS场效应管的开闭。

6.根据权利要求5所述的实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的方法，其特征在于，所述的第一控制器根据所述的第一比较器的输出结果控制第一PMOS场效应管的开闭，包括以下步骤：

（11）所述的第一渐变参考信号在系统预设时间内从系统预设最大值变换为0V，当所述的第一比较器的第二输入端的电压大于第一输入端的电压时，所述的第一控制器关闭第一PMOS场效应管；

（12）当所述的第一比较器的第二输入端的电压小于第一输入端的电压时，所述的第一控制器打开第一PMOS场效应管。

7.根据权利要求5所述的实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的方法，其特征在于，所述的第二控制器根据所述的第二比较器的输出结果控制第二PMOS场效应管的开闭，包括以下步骤：

（21）所述的第二渐变参考信号在系统预设时间内从0V变换为系统预设最大值，当所述的第二比较器的第二输入端的电压大于第一输入端的电压时，所述的第二控制器关闭第二PMOS场效应管；

（22）当所述的第二比较器的第二输入端的电压小于第一输入端的电压时，所述的第二控制器打开第二PMOS场效应管。