[发明专利]具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构

权利要求书

1.一种具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：

第一PMOS管，所述的第一PMOS管的源极与所述的电路结构的接电源端相连接；

第三PMOS管，所述的第三PMOS管的源极与所述的电路结构的接电源端相连接，所述的第三PMOS管的漏极与所述的电路结构的电源输出端相连接；

第一寄生二极管，所述的第一寄生二极管的阳极与接地端相连接，所述的第一寄生二极管的阴极与所述的第一PMOS管的背栅极相连接；

第三寄生二极管，所述的第三寄生二极管的阳极与接地端相连接，所述的第三寄生二极管的阴极与所述的第三PMOS管的背栅极相连接；

第一电阻，所述的第一电阻的第一端与接电源端相连接，所述的第一电阻的第二端分别与所述的第一寄生二极管的阴极和第三寄生二极管的阴极相连接。

2.根据权利要求1所述的具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括：

第二PMOS管，所述的第二PMOS管的源极与所述的电路结构的接电源端相连接；

第二寄生二极管，所述的第二寄生二极管的阳极与接地端相连接，所述的第二寄生二极管的阴极分别与所述的第二PMOS管的背栅极和第一电阻的第二端相连接。

3.根据权利要求2所述的具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括：

第一NMOS管，所述的第一NMOS管的漏极与所述的第一PMOS管的漏极相连接。

4.根据权利要求3所述的具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括：

第三NMOS管，所述的第三NMOS管的漏极与所述的第一NMOS管的源极相连接，所述的第三NMOS管的源极与接地端相连接，所述的第三NMOS管的栅极与偏置电压相连接。

5.根据权利要求4所述的具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括：

第二NMOS管，所述的第二NMOS管的漏极与所述的第二PMOS管的漏极相连接，所述的第二NMOS管的源极与所述的第三NMOS管的漏极相连接。

6.根据权利要求5所述的具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括：

第二电阻，所述的第二电阻的第一端与所述的第三PMOS管的漏极相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的第一NMOS管的栅极相连接；

第三电阻，所述的第三电阻的第一端与所述的第二电阻的第二端相连接，所述的第三电阻的第二端与接地端相连接。