[发明专利]具有构造为膜复合物的连接装置的功率组件有效
申请号: | 201410105647.0 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN104064538B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 格雷戈尔·克莱姆;斯特凡·施米特;乌尔里希·扎格鲍姆 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L25/07 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 杨靖,车文 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 构造 复合物 连接 装置 功率 组件 | ||
1.一种功率组件(1),所述功率组件带有:具有导体轨迹(20)的衬底(2)、其上布置的功率半导体器件(3)和构造成膜复合物的连接装置(5),所述膜复合物具有绝缘膜(52)和导电膜(50),所述导电膜区段式地分别与功率半导体器件(3)的接触面(302)或与所述衬底(2)的导体轨迹(20)的接触面材料锁合地连接,其中,所述膜复合物具有:
·若干彼此以相同间距延伸的基本狭缝(6),其中,两个相邻的基本狭缝不具有连续笔直的延伸,而是各个基本狭缝在其延伸中具有至少一个间距点(600),所述间距点与连接该基本狭缝的角点(602)的直线具有最小间距(612),所述最小间距大于与在这个方向上相邻的基本狭缝的最大间距(610);和/或
·第一宽狭缝(7),所述第一宽狭缝从接触面(302)出发突出超过该接触面(302)的边沿(306)。
2.根据权利要求1所述的功率组件,其中,所述间距点(600)与连接所述角点(602)的直线的间距相当于对应的相邻狭缝的间距(610)的至少1.5倍。
3.根据权利要求1所述的功率组件,其中,所述间距点(600)与连接所述角点(602)的直线的间距相当于对应的相邻狭缝的间距(610)的至少2倍。
4.根据权利要求1所述的功率组件,其中,基本狭缝(6)或第一宽狭缝(7)过渡到另一造型的狭缝中。
5.根据权利要求4所述的功率组件,其中,在一个狭缝过渡到另一造型的狭缝时,这两个狭缝在过渡点彼此围成夹角。
6.根据权利要求5所述的功率组件,其中,所述过渡点处于一个狭缝末端并且处于另一造型的狭缝的延伸中,即,不处于所述另一造型的狭缝的末端。
7.根据权利要求4所述的功率组件,其中,当一个狭缝过渡到另一造型的狭缝中时,这两个狭缝在过渡点上彼此对准。
8.根据权利要求1所述的功率组件,其中,若干基本狭缝(6)彼此以相等间距(610)地构造并且具有各三个平行区段(604、606、608),其中,第一和第三平行区段(604、608)布置在假想的直线上,而其上布置有所述间距点(600)的第二平行区段(606)相对于其他平行区段平行延伸。
9.根据权利要求1至8之一所述的功率组件,其中,至少一个基本狭缝(6)构造成贯穿的狭缝。
10.根据权利要求1至8之一所述的功率组件,其中,至少一个第一宽狭缝(7)构造成导电膜(50)的膜层的狭缝。
11.根据权利要求1至8之一所述的功率组件,其中,所述膜复合物具有第二宽狭缝(8),所述第二宽狭缝使所述导电膜(50)与接触面(302)形成接触的区段(502)断开成两个不直接彼此导电连接的子区段,所述子区段因而构成膜导体轨迹(500、510)。
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