[发明专利]一种互补金属氧化物半导体摄像机及其补光方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体CMOS摄像机的补光方法，所述CMOS摄像机为采用卷帘快门曝光方式的CMOS摄像机，其特征在于，包括：

获取帧间隔时间以及每行像素的曝光时间；

根据获取到的信息确定出频闪周期；

按照所述频闪周期以及预先设定的占空比，利用补光灯为每帧图像进行补光，所述占空比大于0且小于1；

所述帧间隔时间为：F*Tpixclk；所述每行像素的曝光时间为：S*Tpixclk；

所述F和所述S均为正整数，且F>S，所述Tpixclk表示输出一个像素点的时钟周期；

所述根据获取到的信息确定出频闪周期包括：

当所述F和所述S之间非互质时，求取所述F和所述S之间的最大公约数T1；

从所述T1的各因数中选定一个因数，计算所选定的因数与所述Tpixclk的乘积，将计算结果作为所述频闪周期；

当所述F和所述S之间互质时，对所述S的取值进行微调，使得微调后的S和所述F之间非互质，并获取所述F和微调后的S之间的最大公约数T2；

从所述T2的各因数中选定一个因数，计算所选定的因数与所述Tpixclk的乘积，将计算结果作为所述频闪周期；或

当所述F和所述S之间互质时，从位于F-B到F之间的各正整数中选定一个与所述S之间非互质的正整数F1，所述B为正整数，且B<F，B*Tpixclk为每帧图像中的帧消隐时间，并获取所述F1和所述S之间的最大公约数T3；

从所述T3的各因数中选定一个因数，计算所选定的因数与所述Tpixclk的乘积，将计算结果作为所述频闪周期。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述按照所述频闪周期以及预先设定的占空比，利用补光灯为每帧图像进行补光包括：

针对每帧图像，从该帧图像的第一行曝光开始到F1*Tpixclk的时段内，按照所述频闪周期以及预先设定的占空比，利用补光灯为该帧图像进行补光，在剩余时段内，关闭所述补光灯。

3.一种互补金属氧化物半导体CMOS摄像机，所述CMOS摄像机为采用卷帘快门曝光方式的CMOS摄像机，其特征在于，包括：补光控制模块和补光灯；

所述补光控制模块，用于获取帧间隔时间以及每行像素的曝光时间；根据获取到的信息确定出频闪周期；按照所述频闪周期以及预先设定的占空比，控制所述补光灯为每帧图像进行补光，所述占空比大于0且小于1；

所述帧间隔时间为：F*Tpixclk；所述每行像素的曝光时间为：S*Tpixclk；

所述F和所述S均为正整数，且F>S，所述Tpixclk表示输出一个像素点的时钟周期；

当所述F和所述S之间非互质时，所述补光控制模块求取所述F和所述S之间的最大公约数T1，并从所述T1的各因数中选定一个因数，计算所选定的因数与所述Tpixclk的乘积，将计算结果作为所述频闪周期；

所述补光控制模块进一步用于，当所述F和所述S之间互质时，对所述S的取值进行微调，使得微调后的S和所述F之间非互质，并获取所述F和微调后的S之间的最大公约数T2；从所述T2的各因数中选定一个因数，计算所选定的因数与所述Tpixclk的乘积，将计算结果作为所述频闪周期；或

所述补光控制模块进一步用于，当所述F和所述S之间互质时，从位于F-B到F之间的各正整数中选定一个与所述S之间非互质的正整数F1，所述B为正整数，且B<F，B*Tpixclk为每帧图像中的帧消隐时间，并获取所述F1和所述S之间的最大公约数T3；从所述T3的各因数中选定一个因数，计算所选定的因数与所述Tpixclk的乘积，将计算结果作为所述频闪周期。

4.根据权利要求3所述的CMOS摄像机，其特征在于，

所述补光控制模块进一步用于，针对每帧图像，从该帧图像的第一行曝光开始到F1*Tpixclk的时段内，按照所述频闪周期以及预先设定的占空比，控制所述补光灯为该帧图像进行补光，在剩余时段内，控制所述补光灯关闭。