[发明专利]一种晶体硅片位错检测方法

权利要求书

1.一种晶体硅片位错检测方法，其特征在于，包括：

S1：提供切割晶体硅锭或晶体硅棒后得到的晶体硅片，所述晶体硅片包括多晶硅片和单晶硅片；

S2：将所述晶体硅片浸泡在添加有醇类化学添加剂的碱溶液中，对所述晶体硅片进行碱处理，之后去除所述晶体硅片上残留的碱溶液；

S3：将经过步骤S2处理过的晶体硅片浸泡在化学抛光液中，对晶体硅片进行化学抛光，之后去除所述晶体硅片上残留的化学抛光液，并吹干晶体硅片；

S4：采用化学腐蚀液对吹干后的晶体硅片进行腐蚀，之后去除所述晶体硅片上残留的化学腐蚀液；

S5：采集晶体硅片上的位错照片，分析位错数量，并得出位错密度。

2.根据权利要求1所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，所述醇类化学添加剂为异丙醇或正丙醇。

3.根据权利要求1所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，步骤S2中的碱溶液的体积浓度为5％-20％、温度为20℃-80℃，均包括端点值。

4.根据权利要求3所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，步骤S2中的浸泡时间为5min-15min，包括端点值。

5.根据权利要求4所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，所述去除所述晶体硅片上残留的碱溶液具体为：用去离子水冲洗所述晶体硅片2遍以上，以去除碱溶液。

6.根据权利要求1所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，步骤S3具体为：

将经过碱处理并清洗过后的晶体硅片浸泡在体积浓度为40％的氢氟酸与体积浓度为69％的硝酸，且二者体积比为1:(1-10)、温度为15℃-50℃的混合溶液中1min-10min，对晶体硅片进行化学抛光，然后用去离子水清洗晶体硅片2遍以上，去除所述化学抛光液，并吹干晶体硅片。

7.根据权利要求1所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，步骤S4具体为：

采用体积浓度为40％的氢氟酸与0.15mol·L^-1的K₂Cr₂O₇，且二者体积比为2:1的化学腐蚀液，对吹干后的晶体硅片进行腐蚀10min-30min，然后用去离子水清洗晶体硅片，去除所述化学腐蚀液。

8.根据权利要求1所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，所述碱溶液为Na₂CO₃、NaHCO₃、NaOH、K₂CO₃、KOH的一种或几种溶液的混合溶液。

9.根据权利要求1所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，所述切割晶体硅锭或晶体硅棒后得到的晶体硅片的表面粗糙度值Ra的范围为0μm-20μm，不包括端点值。

10.根据权利要求9所述的晶体硅片位错检测方法，其特征在于，所述晶体硅片的厚度范围为180μm-200μm，包括端点值。