[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：S1：提供一半导体基底，在所述半导体基底正面形成第一器件结构；所述第一器件结构包括铝引线孔及暴露于所述铝引线孔底部的铝金属垫；S2：在所述半导体基底正面形成一覆盖所述第一器件结构的隔离层；S3：在所述隔离层表面形成一保护层；S4：将所述半导体基底翻面，在所述半导体基底背面形成第二器件结构；S5：依次去除所述保护层及所述隔离层，完成半导体器件的制作。本发明在制作半导体器件的过程中，晶圆正面采用隔离层及保护层进行保护，已经制作好的器件结构在机台的常规拿取过程中不会被破坏，且在后续去除隔离层和保护层的过程中不会导致铝金属垫被腐蚀或污染，有效保证了器件的可靠性。

技术领域

本发明属于半导体领域，涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

微机电系统（MEMS，Micro-Electro-Mechanical System）是指可批量制作的，集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统。它是以半导体制造技术为基础发展起来的。MEMS技术采用了半导体技术中的光刻、腐蚀、薄膜等一系列的现有技术和材料，因此从制造技术本身来讲，MEMS中基本的制造技术是成熟的。但MEMS更侧重于超精密机械加工，并要涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。

MEMS传感器的制作过程中，需要在正面工艺完成后再进行晶圆背部的制程，而在进行背面制程时，晶圆正面不可避免的要和设备直接接触。在各半导体机台以常规方式拿/取晶圆时，会破坏器件结构。为防止此接触导致晶圆正面受损，必须采取措施对晶圆正面进行施保护。

目前通常使用的保护方法有两种，一种是在正面制程完成后再增加一层氧化层，在背面制程完成后，再通过氢氟酸溶液（HF）祛除正面的保护氧化层；另一种是在正面制程完成后上一层光阻（PR）来保护器件。但是，对于正面已经打开了铝引线孔的制程，若使用氧化层保护的方式，在用HF祛除保护氧化层时，会导致金属接触点的腐蚀，从而影响器件的可靠性；若使用PR，会产生颗粒（Particle）问题，污染晶片（Wafer）和机台。

因此，提供一种半导体器件的制作方法，以解决晶圆在进行背部制程时导致晶圆正面受损、现有解决方法容易降低器件可靠性或导致颗粒污染的问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体器件的制作方法，用于解决现有技术中在进行背部制程时导致晶圆正面受损、现有解决方法容易降低器件可靠性或导致颗粒污染的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体器件的制作方法，至少包括以下步骤：

S1：提供一半导体基底，在所述半导体基底正面形成第一器件结构；所述第一器件结构包括铝引线孔及暴露于所述铝引线孔底部的铝金属垫；

S2：在所述半导体基底正面形成一覆盖所述第一器件结构的隔离层；

S3：在所述隔离层表面形成一保护层；

S4：将所述半导体基底翻面，在所述半导体基底背面形成第二器件结构；

S5：依次去除所述保护层及所述隔离层，完成半导体器件的制作。

可选地，所述隔离层的厚度范围是100～2000埃；所述保护层的厚度为5～100千埃。

可选地，所述隔离层为Ti/TiN叠层结构。

可选地，所述保护层的材料为Ge。

可选地，于所述步骤S5中，采用双氧水湿法腐蚀去除所述保护层。

可选地，于所述步骤S3中，在所述隔离层表面及所述半导体基底背面均形成保护层。