[发明专利]一种MEMS器件切割方法有效
| 申请号： | 201410105966.1 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104925741B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 切割 方法 | ||
1.一种MEMS器件切割方法，其特征在于，所述MEMS器件切割方法至少包括步骤：
提供边缘具有一第一刻痕的衬底晶圆，在所述第一刻痕两侧定义两条平行的预切割道，并在所述切割道上设置切割对准标记；所述衬底晶圆关于所述预切割道对称；
提供边缘具有一第二刻痕的盖帽晶圆；将所述盖帽晶圆键合于所述衬底晶圆上，并使所述第二刻痕与所述第一刻痕呈对角对准；
切割去除所述盖帽晶圆上除第二刻痕外的边缘部分，以暴露出所述衬底晶圆上的第一刻痕；
对准所述第一刻痕和第二刻痕对应平行的两侧进行预切割，暴露出所述预切割道上的切割对准标记；
根据所述切割对准标记切割与所述预切割道垂直的切割道，并根据两条所述预切割道间的距离切割与所述预切割道平行的切割道，最终完成MEMS器件的切割工艺。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述衬底晶圆上还包括阵列排列的器件区。
3.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：两条所述预切割道之间的距离为1.5～2.5mm。
4.根据权利要求3所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：两条所述预切割道之间的距离为2mm。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：采用光源曝光的方式在所述衬底晶圆和盖帽晶圆的切割道上制作相对应的键合标记，通过键合标记使键合后的所述盖帽晶圆的第二刻痕与衬底晶圆的第一刻痕呈对角对准。
6.根据权利要求1或5所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述第二刻痕与所述第一刻痕对准时偏移5～10μm。
7.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述第一刻痕为V型刻痕。
8.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述第二刻痕为V型刻痕。
9.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：切割去除所述盖帽晶圆上除第二刻痕外的边缘部分的宽度为0.8～1.2mm。
10.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述切割对准标记为十字型。
11.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：在所述盖帽晶圆和衬底晶圆进行键合后、切割去除所述盖帽晶圆上除第二刻痕外的边缘部分之前，还包括对所述盖帽晶圆表面进行减薄的步骤。
12.根据权利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：完成MEMS器件切割之后还需要对MEMS器件进行去离子水清洗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410105966.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于装配有透明板的晶片的制造方法
- 下一篇：一种前移式叉车的门架支座
