[发明专利]一种单晶硅棒晶向检测装置及其晶向检测方法有效
申请号: | 201410106247.1 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN103913417A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 朱亮;傅林坚;叶欣;石刚;沈文杰;陈明杰;孙明;周建灿;杨奎 | 申请(专利权)人: | 浙江晶盛机电股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/00 | 分类号: | G01N21/00 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 周世骏 |
地址: | 312300 浙江省绍兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 检测 装置 及其 方法 | ||
1.一种单晶硅棒晶向检测装置,用于检测装夹在切方工作台上的圆形单晶硅棒的晶向,其特征在于,包括支架、支撑臂、晶向检测传感器支架、气缸、固定护罩、升降护罩、晶向检测传感器;
支撑臂固定在支架上,固定护罩安装在支撑壁上,晶向检测传感器通过晶向检测传感器支架安装在固定护罩上,晶向检测传感器用于通过测量圆形单晶硅棒表面到测量零点的距离,进行圆形单晶硅棒的晶向判断;
固定护罩的中部设有孔,气缸一端安装在支撑臂上,另一端穿过固定护罩中部的孔,并通过气缸的活塞杆与升降护罩相连接,活塞杆带动升降护罩进行上下移动,以完成升降护罩的打开和关闭,升降护罩关闭时,能通过升降护罩的下移将晶向检测传感器罩在升降护罩内,升降护罩打开时,能通过升降护罩的上移使晶向检测传感器从升降护罩内露出。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅棒晶向检测装置,其特征在于,所述气缸为带有导向杆的双作用单活塞杆气缸。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅棒晶向检测装置,其特征在于,所述晶向检测传感器为激光测距传感器。
4.根据权利要求3所述的一种单晶硅棒晶向检测装置,其特征在于,所述单晶硅棒晶向检测装置还设有喷气管和喷气管支撑架,喷气管通过喷气管支撑架固定在气缸上;喷气管连接有气源,气源用于向喷气管内通入压缩空气,喷气管的管壁上开有出气口,出气口对准晶向检测传感器,用于清理晶向检测传感器激光发射口处的污染物。
5.根据权利要求4所述的一种单晶硅棒晶向检测装置,其特征在于,所述喷气管的管壁上开有6个出气口。
6.根据权利要求4所述的一种单晶硅棒晶向检测装置,其特征在于,所述气源采用压力为0.5MPa的压缩空气。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的一种单晶硅棒晶向检测装置,其特征在于,所述支撑臂通过螺钉与支架固定。
8.基于权利要求4所述的一种单晶硅棒晶向检测装置的晶向检测方法,其特征在于,具体包括下述步骤:
(1)将圆形单晶硅棒装入切方工作台,并使圆形单晶硅棒开始匀速旋转,圆形单晶硅棒的中心轴线即为旋转中心;
(2)操作气缸,使气缸的活塞杆伸出,带动升降护罩升起,露出晶向检测传感器;
(3)开启气源,使压缩空气从喷气管的出气口处喷出,吹掉晶向检测传感器激光发射口处的污染物;
(4)启动晶向检测传感器,使晶向检测传感器发射激光照射到圆形单晶硅棒的表面,可测出圆形单晶硅棒的表面到激光发出点的距离F;圆形单晶硅棒绕中心轴线旋转一周,用时为T,设在T时间里,每隔时间Δt测量一次,则第n个测量值为F(nΔt),其中Δt为测量时间间隔,
对测得的个数据进行高通滤波后,计算最小值Fmin,设Fmin=F(n0Δt),则最小值F(n0Δt)满足公式:
F(n0Δt)-F[(n0-1)Δt]<0,且F[(n0+1)Δt]-F(n0Δt)>0
其中,n0表示第n0个测量点,即最小值Fmin对应的测量点;
圆形单晶硅棒表面到激光发出点的距离最小值Fmin,也是圆形单晶硅棒表面距离圆形单晶硅棒中心的最大值,而圆形单晶硅棒的晶向在宏观上表现为晶棒表面上突起的四条棱线,因此测得的Fmin所对应圆形单晶硅棒上的位置即为晶棒的晶向;
(5)操作气缸,使气缸的活塞杆收回,带动升降护罩向下移动,罩住晶向检测传感器。
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