[发明专利]降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置及其方法在审
| 申请号： | 201410106474.4 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103928367A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;戴树刚;孙天拓 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 炉管 工艺 cu 污染 装置 及其 方法 | ||
1.一种降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置，其特征在于，包括：炉管主体、燃烧腔、水汽进气管；其中，所述燃烧腔通过所述水汽进气管与所述炉管主体连接。
2.根据权利要求1所述的降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置，其特征在于，所述的水汽进气管用于将燃烧腔内生成的水汽送入炉管主体中。
3.根据权利要求1所述的降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置，其特征在于，所述的燃烧腔中还包括H2进气口、O2进气口、以及燃烧内腔。
4.根据权利要求3所述的降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置，其特征在于，所述的H2进气口、O2进气口分别与燃烧内腔连接。
5.根据权利要求4所述的降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置，其特征在于，H2通过所述的H2进气口进入所述的燃烧内腔中，O2通过所述的O2进气口进入所述的燃烧内腔中。
6.一种降低炉管工艺中Cu污染的方法，其特征在于，采用如权利要求1中所述的炉管装置，所述方法包括：
对所述炉管主体内部进行预清洗；
将一定体积比的H2和O2点火燃烧，生成水汽，将所述水汽通入所述炉管主体内部。
7.根据权利要求6所述的降低炉管工艺中Cu污染的方法，其特征在于，采用C2H2Cl2溶液对炉管主体内部进行预清洗。
8.根据权利要求6所述的降低炉管工艺中Cu污染的方法，其特征在于，H2和O2的体积比为（1～3）：（3～1）。
9.根据权利要求6所述的降低炉管工艺中Cu污染的方法，其特征在于，所述的水汽的温度范围为大于800℃。
10.根据权利要求9所述的降低炉管工艺中Cu污染的方法，其特征在于，将所述水汽通入所述炉管主体内部的时间为大于30min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
