[发明专利]一种优化等离子体均匀性的压力控制阀门及方法

权利要求书

1.一种压力控制阀门，应用于半导体工艺制程的等离子体设备中，其特征在于，所述压力控制阀门包括第一子阀门、第二子阀门和轴；

所述第一子阀门为中空结构，所述第二子阀门内嵌于所述第一子阀门中，且所述第一子阀门和所述第二子阀门的平面图形均为轴对称图形；

所述第一子阀门和所述第二子阀门的对称轴均设置于所述轴上。

2.如权利要求1所述的压力控制阀门，其特征在于，所述第一子阀门和所述第二子阀门均为中心对称图形，且所述第二子阀门的对称中心设置于所述第一子阀门的对称中心处。

3.如权利要求2所述的压力控制阀门，其特征在于，所述第一子阀门的平面图形为环形，所述第二子阀门的平面图形为圆形。

4.如权利要求3所述的压力控制阀门，其特征在于，所述第一子阀门的平面面积与所述第二子阀门的平面面积相同。

5.如权利要求1所述的压力控制阀门，其特征在于，所述等离子设备中包括分子泵和反应腔室，所述分子泵的顶部设置于所述反应腔室的正下方，所述压力控制阀门设置于所述反应腔室和所述分子泵之间。

6.一种优化等离子体均匀性的方法，其特征在于，采用如权利要求1～5中任意一项所述的压力控制阀门，所述方法包括：

在对所述反应腔室进行抽气的过程中，将所述第一子阀门或所述第二子阀门绕其对称轴旋转以开启一定角度，当压力变化至所需的压力值时再将所述第一子阀门和所述第二子阀门中的另一个绕其对称中心旋转以开启与所述角度相反的角度，以降低所述反应腔室内的压力值至一目标压力值。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述目标压力值为根据实际工艺情况预先设定的压力值，所述所需的压力值为所述预先设定的压力值的两倍。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述压力控制阀门与一马达和一控制器连接，通过所述马达来开启所述第一子阀门或所述第二子阀门，通过所述控制器来关闭所述第一子阀门或所述第二子阀门。