[发明专利]一种在线实时控制硅片背压的结构及方法有效
申请号: | 201410106493.7 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN103928368B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 龚荟卓;仇建华;金懿 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 在线 实时 控制 硅片 结构 方法 | ||
1.一种在线实时控制硅片背压的结构,其特征在于,包括硅片、承载台、内圈真空管道、外圈真空管道和控制器,所述硅片的背面包括内圈和外圈,所述硅片的背面与所述承载台连接,所述内圈真空管道和外圈真空管道设于所述承载台上,所述内圈真空管道和外圈真空管道分别通过压力吸附所述硅片背面的内圈和外圈,所述控制器分别与所述内圈真空管道和外圈真空管道连接,并分别控制所述内圈真空管道和外圈真空管道的压力,还包括温度传感器,所述温度传感器分别与所述硅片的内圈、外圈以及控制器相连,并分别检测所述硅片内圈、外圈的温度并传递至所述控制器,以控制所述硅片内圈和外圈的温度。
2.如权利要求1所述的在线实时控制硅片背压的结构,其特征在于,所述控制器为可编辑逻辑控制器。
3.如权利要求2所述的在线实时控制硅片背压的结构,其特征在于,所述控制器中还设有IOC模块。
4.如权利要求3所述的在线实时控制硅片背压的结构,其特征在于,所述控制器中还设有UI模块。
5.如权利要求4所述的在线实时控制硅片背压的结构,其特征在于,所述温度传感器中包括光纤束及与所述光纤束相连的高温计。
6.一种在线实时控制硅片背压的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,形成如权利要求2至5任一项所述的在线实时控制硅片背压的结构;
步骤2,通过所述温度传感器分别检测所述硅片内圈和外圈的温度;
步骤3,所述控制器根据所述硅片内圈和外圈的温度分别控制所述内圈真空管道和外圈真空管道的压力,以分别调节所述硅片内圈和外圈的背压,并最终控制所述硅片内圈和外圈的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造