[发明专利]一种降低源漏外延生长缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410106521.5 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887176A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 高剑琴 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 外延 生长 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低源漏外延生长缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤1：对源漏区进行N离子LDD注入；
步骤2：进行源漏区刻蚀，以得到所需要的形状；
步骤3：对源漏区进行快速热退火处理；
步骤4：对源漏区进行湿法预清洗处理；
步骤5：进行外延生长；
步骤6：进行P离子LDD注入。
2.根据权利要求1所述的降低源漏外延生长缺陷的方法，其特征在于，步骤3中快速热退火处理温度在800～1000 oC。
3.根据权利要求1所述的降低源漏外延生长缺陷的方法，其特征在于，步骤3中快速热退火处理时间在20～40秒。
4.根据权利要求1所述的降低源漏外延生长缺陷的方法，其特征在于，步骤3中快速热退火处理的大气压状态为标准大气压。
5.根据权利要求1所述的降低源漏外延生长缺陷的方法，其特征在于，步骤4中，采用稀释的HF酸进行所述湿法预清洗处理。
6.根据权利要求1所述的降低源漏外延生长缺陷的方法，其特征在于，步骤5中还包括，先采用H2气体或者H2和HCl的混合气体进行烘烤。
7.根据权利要求1所述的降低源漏外延生长缺陷的方法，其特征在于，在步骤2中，采用干法刻蚀或湿法刻蚀进行源漏区刻蚀。
8.根据权利要求1所述的降低源漏外延生长缺陷的方法，其特征在于，在步骤2中，采用干法刻蚀和湿法刻蚀混用的方式进行源漏区刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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