[发明专利]一种改善多晶硅炉管控片监控机制的方法

权利要求书

1.一种改善多晶硅炉管控片监控机制的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 

步骤S1、提供一晶舟、若干产品晶片、若干第一挡片、若干第二挡片和若干控片； 

步骤S2、在所述晶舟中从上往下，依次设置第一非产品晶片区域、第二非产品晶片和第三非产品晶片区域，所述第一非产品晶片区域位于所述晶舟顶部，所述第二非晶片产品区域位于所述晶舟的中部，所述第三非产品晶片区域位于所述晶舟的底部； 

步骤S3、至少采用若干产品晶片，将所述晶舟中除第一非产品晶片区域、第二非产品晶片区域和第三非产品晶片区域以外的区域填充满； 

步骤S4、在所述第一非产品晶片区域中由上至下依次填充一第一挡片、一第二挡片和一控片，在所述第二非产品晶片区域中由上至下依次填充一第二挡片和一控片，在所述第三非产品晶片区域中由上至下依次填充一第二挡片、一控片和一第一挡片； 

步骤S5、将所述晶舟置于炉管中进行多晶硅制备工艺； 

步骤S6、对使用后的若干第二挡片进行清洗和重新制备； 

步骤S7、重复步骤S1～S6； 

其中，所述第一挡片为在一光片的正面和反面均沉积氮化硅后形成；所述第二挡片为在一光片的正面和反面均依次沉积氮化硅和氧化硅后形成；所述控片为在一光片的正面和反面均沉积氧化硅后形成。 

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，仅采用若干产 品晶片，将所述晶舟中除第一非产品晶片区域、第二非产品晶片区域和第三非产品晶片区域以外的区域填充满。 

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，采用若干产品晶片和若干所述第一挡片，将所述晶舟中除第一非产品晶片区域、第二非产品晶片区域和第三非产品晶片区域以外的区域填充满。 

当所述产品晶片的数量足以将所述晶舟填满时，步骤S3中则全部填充所述产品晶片；当所述产品晶片的数量不足以将所述晶舟填满时，步骤S3中则用所述第一挡片代替所述产品晶片填充所述晶舟直至所述晶舟填满； 

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S5中，所述炉管为垂直炉管。 

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S5中，所述炉管为水平炉管。 

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S6中，所述第二挡片经清洗以去除表面的多晶硅及二氧化硅后，再制备一层二氧化硅，以完成重新制备。 

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤S6中，采用酸性清洗液清洗第二挡片。