[发明专利]一种晶圆传送装置有效
| 申请号： | 201410106592.5 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103904010B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 秦贵明;俞玮;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 传送 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆传送装置，应用于一具若干晶舟角的扩散炉中，所述装置包括晶圆传送叉，其特征在于，所述晶圆传送叉上设置有若干喷气孔，当所述晶圆传送装置伸入至所述扩散炉中时，每个所述喷气孔的朝向分别指向不同的晶舟角。
2.如权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述若干喷气孔设置于所述晶圆传送叉上不与晶圆接触的一端。
3.如权利要求2所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述若干喷气孔包括若干第一喷气孔和若干第二喷气孔；
所述若干第一喷气孔均设置于所述晶圆传送叉的上部；
所述若干第二喷气孔均设置于所述晶圆传送叉的下部。
4.如权利要求3所述的晶圆传送装置，其特征在于，若干所述第一喷气孔的数量与若干所述第二喷气孔的数量相等。
5.如权利要求4所述的晶圆传送装置，其特征在于，若干所述第一喷气孔的数量为3，若干所述第二喷气孔的数量为3。
6.如权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述若干喷气孔均为N2喷气孔。
7.如权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，每个所述喷气孔均连接有流量传感器。
8.如权利要求7所述的晶圆传送装置，其特征在于，每个所述喷气孔上均设置有阀门。
9.如权利要求8所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述阀门为电磁阀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
