[发明专利]一种平面TEM样品制备的方法无效
| 申请号： | 201410106610.X | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103900876A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孙蓓瑶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 tem 样品 制备 方法 | ||
1.一种平面TEM样品制备的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S1：将一所需制备的TEM平面样品放入FIB中，并确定需要研磨的目标位置；
步骤S2：使用所述FIB于所述目标位置下方，设置一个纵向E-Beam定位标记；
步骤S3：使用所述FIB于所述目标位置左右，分别设置一横向E-Beam定位标记；
步骤S4：使用所述FIB于两个所述横向E-Beam定位标记的上方处，设置两个研磨截止标记，每个所述研磨截止标记与任意一个所述横向E-Beam定位标记在竖直方向上均相互错开；
步骤S5：使用所述FIB于每个所述研磨截止标记处，均设置一I-Beam定位标记。
2.如权利要求1所述的平面TEM样品制备的方法，其特征在于，所述纵向E-Beam定位标记位于所述目标位置下方3-4μm处。
3.如权利要求1所述的平面TEM样品制备的方法，其特征在于，两个所述横向E-Beam定位标记分别位于所述目标位置左方3-4μm处和所述目标位置右方3-4μm处。
4.如权利要求1所述的平面TEM样品制备的方法，其特征在于，所述每个研磨截止标记在竖直方向上相距任意一个所述横向E-Beam定位标记之间的距离均为2μm。
5.如权利要求1所述的平面TEM样品再制备的方法，其特征在于，每个所述I-Beam定位标记均为纵向设置，并垂直于任意一个所述研磨截止标记。
6.如权利要求1所述的平面TEM样品再制备的方法，其特征在于，一个所述I-Beam定位标记与一个所述研磨截止标记中背离所述目标位置的一端连接。
7.如权利要求1所述的平面TEM样品再制备的方法，其特征在于，使用所述FIB的I-Beam设置所述纵向E-Beam定位标记、每个所述横向E-Beam定位标记、每个所述研磨截止标记以及每个所述I-Beam定位标记。
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