[发明专利]一种提高栅氧化层质量的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提高栅氧化层质量的方法。

背景技术

随着芯片技术的不断发展，栅氧化层厚度越来越薄，高质量的栅氧化层变得更为关键。而高质量的栅氧化层（Gate Oxide）一般通过炉管的高温氧化工艺来实现，温度范围通常在750℃到1000℃之间，反应方程式为：Si+O₂→SiO₂或Si+2H₂O→SiO₂+2H₂。然而硅衬底常温下会和空气氧气反应（Si+O₂→SiO₂）生成一层自然氧化层（<1.5nm)。在进入炉管高温氧化前，需要用湿法清洗（使用稀释的HF）去除自然氧化层。由于硅衬底常温下会和空气中的氧气发生反应，自然氧化层的产生不可避免。一般通过时间的控制来防止自然氧化层过厚的生长，即湿法清洗后尽快的进入炉管高温氧化。清洗的硅衬底在传输和等待过程中产生自然氧化层；在高温氧化前，硅衬底在炉管晶舟装载和炉管升温过程中也会产生氧化层。

图1是本发明背景中栅氧化层制作工艺中硅衬底氧化层结构原理示意图。其中，硅衬底为11，高温氧化层为12，升温氧化层为13，晶舟装载氧化层为14，自然氧化层为15。如图1所示，高温氧化层上会存在不希望存在的三层外来氧化层。即自然氧化层15，晶舟装载氧化层14和升温氧化层13。

图2是本发明背景中不同二氧化硅层厚度下外来氧化层对击穿电荷（charge to breakdown，简称：QBD）的影响数据图。如图2所示，横坐标为外来二氧化硅层厚度，单位为nm；纵坐标为50%QBD值，单位为c/cm²。二氧化硅层厚度分别为12.5nm、10.0nm和7.5nm为21，22，23所示的斜线，示出了外来二氧化硅层厚度对QBD的影响。当二氧化硅厚度一定时外来二氧化硅变厚，QBD变小；当二氧化硅厚度变薄时外来二氧化硅层的厚度对QBD影响变大。可见外来氧化层的存在对二氧化硅层的质量有较大的影响，特别是对低厚度的二氧化硅层。

图3是本发明背景中栅氧化层制作工艺中管式加热炉中传统的炉管结构示意图。其中，加热炉圆柱形石英炉管为31，固定陶瓷片为32，金属电阻丝为33。如图3所示，传统炉管加热采用金属电阻丝加热。最常用电阻丝为合金电阻丝，有3种金属组成，分别为：Cr：23.25%；Al：5.78%；Fe：70.97%。电阻丝环绕在炉管外壁，电阻丝之间用陶瓷片固定，防止相邻的电阻丝接触到，发生短路。在实际生产过程中，管式炉首先被加热至700℃，然后将晶舟上升至炉管中，再将管式炉加热至900℃，反应生成栅氧化层。此升温过程中由于合金电阻丝的升降温速度很慢，升温速度为10℃/分，其20分钟的长时间的升温过程内容易生成升温氧化层。

中国专利（CN101577224A）公开了一种栅氧化层形成方法，包括：对基底执行热氧化操作，在所述基底上形成具有目标厚度的栅氧化层;以缓冲气体对具有所述栅氧化层的基底执行热处理操作，将所述栅氧化层具有的标准阈值调整为目标阈值。一种栅氧化层形成方法，包括:在基底上形成厚度小于目标厚度的第一栅氧化层；利用包含氧基气体的反应气体对具有所述第一栅氧化层的基底执行热处理操作,形成具有目标厚度及目标阈值的栅氧化层。

该专利主要通过使用含氧基气体的反应气体在热处理操作中对栅氧化层厚度进行控制。

中国专利（CN102104025A）公开了一种EEPROM的栅氧化层的制造方法,包括如下步骤：第1步，在硅衬底表面旋涂一层光刻胶，曝光、显影后光刻胶仅覆盖低压器件区和将要形成隧穿氧化层的区域，存储器件区中除了隧穿氧化层以外的区域暴露,高压器件区全部暴露；对硅衬底表面进行离子注入，光刻胶作为离子注入的阻挡层，在硅衬底中形成离子注入区：第2步，去除光刻胶：第3步，以热氧化工艺使硅衬底表面生长一层高压氧化层和隧穿氧化层，第1步所形成的离子注入区生长高压氧化层，所述隧穿氧化层的厚度小于高压氧化层的厚度。该发明还公开了按照上述方法制造的EEPROM的栅氧化层。

该专利主要通过使用光刻工艺控制步骤解决控制栅氧化层厚度的问题。

但上述两项专利均未涉及在硅晶圆上栅氧化层制作中如何控制外来氧化层的厚度，从而提高栅氧化层质量。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种提高栅氧化层质量的方法。

本发明解决技术问题所采用的技术方案为：

一种提高栅氧化层质量的方法，其中，所述方法包括：

提供一硅衬底；