[发明专利]用于电源电路的输入匹配网络

权利要求书

1.一种电源电路，包括：

RF晶体管；

输入匹配网络，耦合到所述RF晶体管的输入和所述电源电路的输入；

其中所述输入匹配网络包括电阻器、电感器和电容器，所述电阻器、所述电感器和所述电容器在所述RF晶体管的所述输入和接地之间被串联地耦合到一起，

其中所述电阻器和所述电感器的值被选择以将所述RF晶体管的输入阻抗在高频范围的至少一部分内匹配到所述电源电路的所述输入处的源阻抗，

其中所述电容器的值对在所述高频范围的所述匹配的影响基本上可忽略，并且其中所述电容器的值被选择以使得所述电阻器、所述电感器和所述电容器的串联组合大幅减少在低频范围内的相对于在所述电源电路的所述输入处的所述源阻抗的呈现在所述RF晶体管的所述输入的所述阻抗的大小。

2.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述低频范围是从大约0到大约300MHz。

3.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述高频范围是从大约400MHz到大约4GHz。

4.根据权利要求1所述的电源电路，进一步包括：

输出匹配网络，耦合到所述RF晶体管的输出，并且耦合到所述电源电路的输出，

其中，在基带范围内的增益响应峰值与在针对所述电源电路的预期RF操作频率处的增益响应之间的差异等于或大于28dB。

5.根据权利要求1所述的电源电路，其中，在1-300MHz频率范围内，呈现在所述RF晶体管的所述输入的所述阻抗的大小与在所述电源电路的所述输入处的所述源阻抗的比率等于或小于0.4。

6.根据权利要求1所述的电源电路，其中在1-300MHz频率范围内，呈现在所述RF晶体管的所述输入的所述阻抗的大小与在所述电源电路的所述输入处的所述源阻抗的比率在大约0.02到大约0.4之间。

7.根据权利要求1所述的电源电路，其中对于从1MHz上升到预期的RF操作频率的至少三分之一的范围的频率，呈现在所述RF晶体管的所述输入的所述阻抗的大小等于或小于20欧姆。

8.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述RF晶体管是MOS晶体管。

9.根据权利要求1所述的电源电路，其中，所述RF晶体管是LDMOS晶体管。

10.根据权利要求1所述的电源电路，其中，所述RF晶体管是GaN MESFET晶体管。

11.一种RF功率放大器，包括：

输入，被配置为接收具有RF信号带宽的RF信号；

LDMOS晶体管，被配置为放大所述RF信号；

输入匹配网络，耦合到所述RF功率放大器的所述输入和所述LDMOS晶体管的栅极；

其中所述输入匹配网络包括电阻器、电感器和电容器，所述电阻器、所述电感器和所述电容器在所述RF功率放大器的所述输入和接地之间串联地耦合到一起，

其中所述电阻器和所述电感器的值被选择以将在所述LDMOS晶体管的所述栅极处的阻抗在所述RF信号带宽的至少一部分上匹配到所述RF功率放大器的所述输入处的源阻抗，

其中所述电容器的值对在所述RF信号带宽的所述匹配的影响基本上可忽略，并且其中所述电容器的值被选择以使得所述输入匹配网络大幅减少在基带频率范围内的相对于在所述RF功率放大器的所述输入处的所述源阻抗的呈现在所述LDMOS晶体管的所述栅极的所述阻抗的大小。

12.根据权利要求11所述的RF功率放大器，其中所述基带频率范围是从大约0到大约300MHz。

13.根据权利要求11所述的RF功率放大器，其中所述RF信号带宽是从大约400MHz到大约4GHz。

14.根据权利要求11所述的RF功率放大器，进一步包括：

输出匹配网络，耦合到所述LDMOS晶体管的漏极并且耦合到所述RF功率放大器的输出，

其中，在所述基带频率范围内的增益响应峰值与在针对所述RF功率放大器的所述RF信号带宽的近似中心处的增益响应之间的差异等于或大于28dB。

15.根据权利要求11所述的RF功率放大器，其中在1-300MHz频率范围内，呈现在所述LDMOS晶体管的所述栅极的所述阻抗的大小与在所述RF功率放大器的所述输入处的所述源阻抗的比率等于或小于0.4。