[发明专利]半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：

半导体本体（1），其具有上侧（1t）以及与上侧（1t）对立的下侧（1b），上金属化部（11）被施加到所述上侧（1t）上，下金属化部（16）被施加到所述下侧（1b）上，使得半导体本体（1）、上金属化部（11）和下金属化部（16）形成复合体（1，15，16）；

潮气阻挡体（2），其在与上金属化部（11）和下金属化部（16）共同作用下完全密封半导体本体（1），

其中上金属化部（11）具有背向半导体本体（1）的上侧（11t），

所述上金属化部的上侧具有一个或恰好一个未被潮气阻挡体（2）覆盖的表面片段；或者

具有多个彼此间隔开的表面片段（111t, 112t, 171t, 172t），这些表面片段中的任何一个都未被潮气阻挡体（2）覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中半导体本体（1）由半导体基本材料碳化硅（SiC）制成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中上金属化部（11）、下金属化部（16）和潮气阻挡体（2）形成闭合的包封物，所述包封物完全包围半导体本体（1）。

4. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中上金属化部（11）是经结构化的并且具有两个彼此间隔开的金属化片段（151, 171, 181, 191; 152, 172, 182, 192）。

5.根据权利要求1或4所述的半导体器件，其中所述表面片段（15t, 151t, 152t, 17t, 171t, 172t）中的每一个能够从半导体器件（100）的外部环境自由到达。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中下金属化部（16）的背向半导体本体（1）的下侧（16b）未被潮气阻挡体（2）覆盖。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中潮气阻挡体（2）沿着环形闭合接触面接触下金属化部（16）。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述接触面的背向半导体本体（1）的边缘（216）完全用环形闭合阻焊层（3）覆盖。

9.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中潮气阻挡体（2）为电绝缘的并且具有环氧树脂或由环氧树脂制成，或者具有基于聚氨酯的材料或者由基于聚氨酯的材料制成。

10.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中潮气阻挡体（2）由一致的材料或均匀材料混合物制成。

11.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中上金属化部（11）具有上金属化层（15）以及金属接触件（17），所述金属接触件（17）借助于焊剂层（18）间接或直接地焊接到上金属化层（15）的背向半导体本体（1）的侧（15t）上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中潮气阻挡体（2）的片段布置在上金属化层（15）与金属接触件（17）之间。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中上金属化部（11）具有阻挡层（19），所述阻挡层（19）布置在上金属化层（15）与金属接触件（17）之间，并且所述阻挡层（19）：

－具有钨或由钨制成；

－具有由钛钨制成的合金或者由钛钨制成的合金制成；

－具有钨层（192）以及钛层（191），所述钛层（191）布置在钨层（192）与上金属化层（15）之间。

14.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中下金属化部（16）的背向半导体本体（1）的下侧（16b）的至少一个片段露出，使得该片段能够在半导体器件（100）的未安放的状态下从半导体器件（100）的外部环境自由到达。

15.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

潮气阻挡体（2）在半导体器件（100）的未安放的状态下具有能够从外部环境自由到达的表面（2s）；以及

针对能够自由到达的表面（2s）上的每个位置（S1，S2，S3）成立的是，从所述位置（S1，S2，S3）通向半导体本体（1）并最后延伸到潮气阻挡体（2）内的每条路径（p1，p2，p3）具有至少50μm的长度。

16.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中潮气阻挡体（2）直接机械接触半导体本体（1）。