[发明专利]一种穿透晶圆的光刻对准方法

权利要求书

1.一种穿透晶圆的光刻对准方法，包括以下步骤：

a）提供已进行晶圆键合的晶圆，并将所述晶圆放置到光刻机的工件台上；所述晶圆包括硅基底，所述硅基底的正面和背面分别生长有前段氧化层和后段氧化层；所述后段氧化层划分为若干个曝光单元，所述每个曝光单元边缘处均设有用于确定所述曝光单元位置的前段晶圆对准标记；

b）制作第一光罩，将所述第一光罩放置到光刻机上所述晶圆的上方，通过晶圆切口对准方式将所述第一光罩与所述晶圆对准，并通过所述第一光罩对多个前段晶圆对准标记上方的前段氧化层和硅基底进行光刻、蚀刻和薄膜气相沉积，直至露出所述晶圆上多个曝光单元的前段晶圆对准标记；

c）制作第二光罩，通过光刻机对准系统将所述第二光罩与所述第一光罩上已打开的多个前段晶圆对准标记对准，并通过所述第二光罩对所有前段晶圆对准标记上方的前段氧化层和硅基底进行光刻、蚀刻和薄膜气相沉积，直至露出所述晶圆的所有曝光单元的前段晶圆对准标记，然后在后续的光刻工艺中正常曝光并采用套刻值补偿的方式实现器件的精确对准。

2.根据权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于：所述曝光单元与曝光单元之间设有切割道，所述前段晶圆对准标记形成在所述切割道上。

3.根据权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于：所述晶圆上硅基底的厚度为2um～6um。

4.根据权利要求1～3任一所述的光刻对准方法，其特征在于：步骤b）中，打开的所述前段晶圆对准标记的个数为3～10个。

5.根据权利要求4所述的光刻对准方法，其特征在于：所述第一光罩上设有与所述前段晶圆对准标记位置相对应的多个第一光罩对准标记，所述第一光罩对准标记用于与步骤b)中所述多个曝光单元上的前段晶圆对准标记进行对准，并通过光刻、蚀刻和薄膜气相沉积打开步骤b)中所述多个曝光单元上的前段晶圆对准标记。

6.根据权利要求4所述的光刻对准方法，其特征在于：所述第二光罩上设有与所有前段晶圆对准标记位置分别相对应的第二光罩对准标记，所述第二光罩对准标记用于与所述步骤c)中所述所有曝光单元上的前段晶圆对准标记进行对准，并通过光刻、蚀刻和薄膜气相沉积打开步骤c)中所述所有曝光单元上的前段晶圆对准标记。