[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一晶体管，包括包含沟道形成区域的氧化物半导体层；

第二晶体管，包括包含沟道形成区域的氧化物半导体层；以及

电容器，包括第一电极和第二电极，

其中，所述第一晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述第二晶体管的栅电极以及所述电容器的第一电极和第二电极之一。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述电容器包括氧化物半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

源极线；

位线；

字线；

第一信号线；以及

第二信号线，

其中，所述源极线和所述第二晶体管的源电极彼此电连接，

其中，所述位线和所述第二晶体管的漏电极彼此电连接，

其中，所述第一信号线和所述第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个彼此电连接，

其中，所述第二信号线和所述第一晶体管的栅电极彼此电连接，以及

其中，所述字线和所述电容器的第一电极和第二电极中的另一个彼此电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一晶体管的氧化物半导体层和所述第二晶体管的氧化物半导体层至少之一成为锥形形状，以及

其中，锥形角大于或等于30度并且小于或等于60度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述半导体装置包括非易失性存储器装置。

6.一种半导体装置，包括：

第一晶体管；

第二晶体管；

其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个晶体管包括：

    第一氧化物半导体层；

    所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；

    所述第二氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及

    所述栅极绝缘层上的栅电极，以及

    包括第一电极和第二电极的电容器，

其中，所述第一晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述第二晶体管的栅电极和所述电容器的第一电极和第二电极之一。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中，所述电容器包括氧化物半导体层。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：

源极线；

位线；

字线；

第一信号线；以及

第二信号线，

其中，所述源极线和所述第二晶体管的源电极彼此电连接，

其中，所述位线和所述第二晶体管的漏电极彼此电连接，

其中，所述第一信号线和所述第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个彼此电连接，

其中，所述第二信号线和所述第一晶体管的栅电极彼此电连接，以及

其中，所述字线和所述电容器的第一电极和第二电极中的另一个彼此电连接。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层至少之一成为锥形形状，以及

其中，所述锥形角大于或等于30度并且小于或等于60度。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中，所述半导体装置包括非易失性存储器装置。