[发明专利]显示装置以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201410108341.0 申请日: 2014-03-21
公开(公告)号: CN104064578B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 杉泽希;池田寿雄;菊池克浩;二星学;井上智;塚本优人;川户伸一 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;G09F9/33
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 反射电极层 隔壁 显示装置 发光有机化合物 半透射 电极层 表面反射 电子设备
【说明书】:

本发明的一个方式的目的是抑制显示装置的表面反射。本发明的一个方式是一种显示装置,包括:反射电极层110;以围绕所述反射电极层的方式形成的分隔壁118;形成于所述分隔壁以及所述反射电极层上的包含发光有机化合物的层120;形成于所述包含发光有机化合物的层上的半透射电极层122;以及形成于所述半透射电极层上的有色层162;其中,所述有色层与所述反射电极层以及所述分隔壁重叠,并且,所述分隔壁不与所述反射电极层重叠。

技术领域

本发明涉及一种显示装置以及电子设备。

背景技术

图11示出具有包括被称作微腔(光学微谐振腔)和滤色片的结构(WTC结构)的现有的EL面板。

图11所示的EL面板包括:第一衬底2102;形成于第一衬底2102上的用作阳极的反射电极层2110;形成于反射电极层2110上且形成于B像素区域2172中的用作阳极的第一透明电极层2112;形成于反射电极层2110上且形成于G像素区域2174中的第二透明电极层2114;形成于反射电极层2110上且形成于R像素区域2176中的第三透明电极层2116;形成于第一透明电极层2112、第二透明电极层2114以及第三透明电极层2116上的分隔层2118;形成于分隔层2118、第一透明电极层2112、第二透明电极层2114以及第三透明电极层2116上的EL层2120;形成于EL层2120上的用作阴极的半透射电极层2122;以及以与第一衬底2102对置的方式配置的第二衬底2152(例如,参照专利文献1)。

另外,第二衬底2152包括:形成于第二衬底2152上的滤色片(蓝)(在图11中表示为CF(B));滤色片(绿)(在图11中表示为CF(G));滤色片(红)(在图11中表示为CF(R));以及形成于CF(B)、CF(G)和CF(R)各滤色片之间的黑矩阵BM。

此外,在图11中,将形成有黑矩阵BM的部分表示为区域2201,将在B像素区域2172中没有形成分隔层2118的中央部(发光区域)表示为区域2202,将在G像素区域2174中没有形成分隔层2118的中央部(发光区域)表示为区域2204,将在R像素区域2176中没有形成分隔层2118的中央部(发光区域)表示为区域2206,将在B像素区域2172中形成有分隔层2118的端部(非发光区域)表示为区域2203,将在G像素区域2174中形成有分隔层2118的端部(非发光区域)表示为区域2205,将在R像素区域2176中形成有分隔层2118的端部(非发光区域)表示为区域2207。

在图11所示的EL面板中,各区域2201至2207中发生由于外光反射而导致显示质量下降(对比度下降、NTSC比例下降等)的问题。

在此,图12示出测定外光入射到图11所示的EL面板时的各区域2201至2207的反射率的结果。根据图12可知:反射率的大小为非发光区域(区域2203、2205、2207)>发光区域(区域2202、2204、2206)>BM(区域2201),尤其是区域2203、2205、2207中的与滤色片(绿)(CF(G))重叠的区域的反射率较大。虽然区域2203、2205、2207所占的区域的尺寸取决于面板设计,但可认为该区域越大,对面板显示质量下降的影响就越大。

[专利文献1]日本专利申请公开2007-012370号公报

发明内容

本发明的一个方式的目的之一是抑制显示装置的外光反射。

本发明的一个方式是一种显示装置,包括:反射电极层;以围绕所述反射电极层的方式形成的分隔壁;形成于所述分隔壁以及所述反射电极层上的包含发光有机化合物的层;形成于所述包含发光有机化合物的层上的半透射电极层;以及形成于所述半透射电极层上的有色层;其中,所述有色层与所述反射电极层以及所述分隔壁重叠,并且,所述分隔壁不与所述反射电极层重叠。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社,未经株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410108341.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code