[发明专利]致密复合材料、其制造方法、接合体及半导体制造装置用部件

权利要求书

1.一种致密复合材料，其组成中含量最多的前三位是碳化硅、钛碳化硅和碳化钛，所述复合材料包含51-68质量％的所述碳化硅、27-40质量％的所述钛碳化硅、4-12质量％的所述碳化钛，不含有硅化钛，且具有1％以下的开口孔隙率。

2.如权利要求1所述的致密复合材料，其中，所述碳化硅为颗粒状，所述钛碳化硅与所述碳化钛中的至少一个以覆盖所述碳化硅的颗粒表面的方式存在于所述碳化硅的颗粒之间的间隙中。

3.如权利要求1或2所述的致密复合材料，其中，所述复合材料与氮化铝之间的40℃-570℃的平均线性热膨胀系数差为0.5ppm/K以下。

4.如权利要求1或2所述的致密复合材料，其中，所述复合材料的40-570℃的平均线性热膨胀系数为5.4-6.0ppm/K。

5.如权利要求1或2所述的致密复合材料，其中，所述复合材料具有100W/m·K以上的导热系数，以及300MPa以上的四点弯曲强度。

6.一种接合体，是通过接合第一板材与第二板材所形成的接合体，所述第一板材由权利要求1-5中任一项所述的致密复合材料构成，所述第二板材由氮化铝构成。

7.如权利要求6所述的接合体，其中，所述第一板材与所述第二板材之间为金属接合。

8.一种半导体制造装置用部件，其使用权利要求6或7所述的接合体制成。

9.一种致密复合材料的制造方法，其包括如下步骤：

(a)制备粉末混合物的步骤，所述粉末混合物含有43-52质量％的碳化硅，33-45质量％的碳化钛，剩余部分含有18质量％以下的硅化钛和/或13质量％以下的硅；以及

(b)获得权利要求1-5中任一项所述的致密复合材料的步骤，所述复合材料通过在惰性气氛下热压烧结所述粉末混合物获得。

10.如权利要求9所述的致密复合材料的制造方法，其中，所述热压时的压力为100-400kgf/cm²。

11.如权利要求9所述的致密复合材料的制造方法，其中，所述热压时的温度为1550-1800℃。