[发明专利]无核心集成电路封装系统及其制造方法有效
申请号: | 201410108491.1 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN104064542B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | B·T·杜;A·S·川斯珀特;金成洙;A·尤索夫;尹仁相 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/60 |
代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙)11269 | 代理人: | 严慎,支媛 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 核心 集成电路 封装 系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造集成电路封装系统的方法,所述方法包括:
形成基础衬底,所述形成基础衬底的步骤包括:
提供牺牲载体,
将金属板安装在所述牺牲载体上,
将顶部迹线施加到所述金属板,
在所述顶部迹线上形成导电柱,
在所述金属板、所述顶部迹线和所述导电柱上形成基础包封件,所述顶部迹线从所述基础包封件的顶面露出,以及
移除所述牺牲载体和所述金属板;
在所述导电柱上形成顶部凹陷,所述顶部凹陷具有围绕所述顶部迹线与所述导电柱接触的部分的周边凹槽;
将集成电路器件安装在所述基础衬底上;以及
以顶部包封件来包封所述集成电路器件和所述基础衬底,所述顶部包封件在所述顶部凹陷中。
2.如权利要求1所述的方法,其中形成所述导电柱的步骤包括在所述导电柱上形成底部凹陷。
3.如权利要求1所述的方法,其中形成所述导电柱的步骤包括形成与所述顶部迹线共面的所述导电柱。
4.如权利要求1所述的方法,还包括在所述集成电路器件和所述基础衬底之间形成重新分布层。
5.如权利要求1所述的方法,其中安装所述集成电路器件的步骤包括在所述集成电路器件和所述基础衬底之间附接芯片互连件。
6.一种用于制造半导体封装的方法,所述方法包括:
形成基础衬底,所述形成基础衬底的步骤包括:
提供牺牲载体,
将金属板安装在所述牺牲载体上,
将顶部迹线施加到所述金属板,
在所述顶部迹线上形成导电柱,
在所述金属板、所述顶部迹线以及所述导电柱上形成基础包封件,所述顶部迹线从所述基础包封件的顶面露出,以及
移除所述牺牲载体和所述金属板;以及
在所述导电柱上形成顶部凹陷,所述顶部凹陷具有围绕所述顶部迹线与所述导电柱接触的部分的周边凹槽;
将集成电路器件安装在所述基础衬底上;
以顶部包封件来包封所述集成电路器件和所述基础衬底,所述顶部包封件在所述顶部凹陷中;
处理所述基础衬底的底面来露出所述导电柱;以及
在所述底面将系统互连件附接到所述导电柱。
7.如权利要求6所述的方法,其中形成所述导电柱的步骤包括在所述导电柱上形成底部凹陷和顶部凹陷。
8.如权利要求6所述的方法,其中安装所述集成电路器件的步骤包括将所述集成电路器件直接安装在所述顶部迹线上。
9.如权利要求6所述的方法,其中形成所述导电柱的步骤包括在所述导电柱上形成周边凹槽,所述周边凹槽在所述基础包封件的顶面之下。
10.如权利要求6所述的方法,其中形成所述基础包封件的步骤包括:
在基础包封件上形成凸缘,所述凸缘横向延伸超过所述顶部包封件;以及
形成遮盖所述顶部包封件的横向侧的塑封重叠部分。
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