[发明专利]摄像装置和图像拍摄显示系统

权利要求书

1.一种摄像装置，其包括：

摄像部，所述摄像部含有多个像素，每个所述像素含有光电转换器件和场效应晶体管；

驱动部，所述驱动部被构造用来控制将被施加至所述晶体管的电压以进行对累积在所述像素中的信号电荷的读出驱动；和

校正部，所述校正部被构造用来校正用于驱动所述晶体管的电压值，

其中，所述晶体管含有第一栅极电极和第二栅极电极，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极彼此面对地布置且所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间设置有半导体层，

所述驱动部被构造用来通过将第一电压施加至所述晶体管的第一栅极电极且将第二电压施加至所述晶体管的第二栅极电极来进行所述晶体管的导通/截止控制，且

所述校正部被构造用来根据所述晶体管的阈值电压的偏移量来校正所述第一电压和所述第二电压中的一者或两者的电压值。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一电压是脉冲电压且所述第二电压是偏置电压。

3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述校正部根据所述阈值电压的所述偏移量在预定的时刻校正所述第二电压的电压值。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，其中，所述摄像部根据入射的放射线生成电信号。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，其中，所述晶体管包括含有氧化硅膜的栅极绝缘膜。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，其中，所述半导体层含有多晶硅、微晶硅、非晶硅或氧化物半导体。

7.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述半导体层含有低温多晶硅。

8.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，

在非曝光状态下，在作为第二电压的电压在多个电压值之间阶梯式地变化以将所述第二电压施加至所述第二栅极电极的同时，所述校正部对与所述多个电压值中的各电压值相对应的像素值进行采样，且

所述校正部基于已经被采样的多个像素值、根据所述阈值电压的所述偏移量来计算所述第二电压的最佳值。

9.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，

所述校正部通过将所述阈值电压的所述偏移量加到所述第二电压的初始设定的电压值来校正所述第二电压的电压值。

10.根据权利要求2、3、8和9中任一项所述的摄像装置，其中，

所述脉冲电压包括导通电压和截止电压，且

在正在施加所述第一电压中的所述导通电压的期间内，所述驱动部使所述第二栅极电极保持在浮动状态。

11.根据权利要求2、3、8和9中任一项所述的摄像装置，其中，

所述脉冲电压包括导通电压和截止电压，且

在正在施加所述第一电压中的所述导通电压的期间内，所述驱动部将具有与所述第一电压中的所述导通电压相同的值的电压施加至所述第二栅极电极。

12.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述摄像部包括位于所述光电转换器件的光入射侧的波长转换层，所述波长转换层被构造用来将所述放射线转换成具有所述光电转换器件的敏感区域内的波长的光。

13.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，每个所述像素吸收所述放射线并将吸收的所述放射线转换成电信号。

14.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述放射线是X射线。

15.根据权利要求1、2、3、8和9中任一项所述的摄像装置，其中，所述光电转换器件由PIN型光电二极管和MIS型传感器中的一者构成。

16.一种图像拍摄显示系统，其包括：

摄像装置；和

显示装置，所述显示装置被构造用来基于由所述摄像装置获得的摄像信号进行图像显示，

其中，所述摄像装置是如权利要求1至15中任一者所述的摄像装置。