[发明专利]一种环氧树脂腐蚀剂及其在除去半导体封装料中的应用在审

专利信息
申请号: 201410109725.4 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN103834497A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 邱勇;王锐;夏群 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: C11D7/08 分类号: C11D7/08;H01L21/02
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 王芸;熊晓果
地址: 611731 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 环氧树脂 腐蚀剂 及其 除去 半导体 装料 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种环氧树脂腐蚀剂,主要由硝酸和硫酸配制而成;所述硝酸是指质量分数大于60%的浓硝酸或发烟硝酸;所述硫酸是指质量分数大于80%的硫酸。

2.如权利要求1所述环氧树脂腐蚀剂,其特征在于,所述硝酸是发烟硝酸,所述发烟硝酸质量分数大于88%的硝酸。

3.如权利要求1所述环氧树脂腐蚀剂,其特征在于,所述硫酸是浓硫酸,是指质量分数大于98%的硫酸。

4.如权利要求1所述环氧树脂腐蚀剂,其特征在于,所述环氧树脂腐蚀剂,由硝酸和硫酸按3-5:2的体积比例配制而成。

5.一种制备如权利要求1-4任意一项所述环氧树脂腐蚀剂的方法,其特征在于,将硝酸倒入容器中,然后缓慢加入硫酸,并搅拌,使两种药水尽可能混合和扩散。

6.如权利要求5所述制备方法,其特征在于,所述缓慢加入硫酸是指每分钟加入硫酸的量为硫酸总量的6%-14%。

7.如权利要求5所述制备方法,其特征在于,配制过程中使用的容器是具有夹层的容器,夹层内通冷却液。

8.一种应用上述环氧树脂腐蚀剂处理半导体元件的方法,包括以下步骤:

取待处理的半导体元件,滴加环氧树脂腐蚀剂,滴加完成后静置5-40秒,用清水冲洗干净,清水的用量是滴加的腐蚀剂的体积的10倍(体积)以上;冲洗干净后,吹干。

9.如权利要求8所述处理半导体元件的方法,其特征在于,清水的用量是腐蚀剂用量的20倍(体积)以上。

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