[发明专利]监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法有效
| 申请号： | 201410109834.6 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103928362A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 雷通;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B21/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监测 氧化 沉积 工艺 损耗 方法 | ||
1.一种监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，包括：
提供硅衬底，所述硅衬底表面有第一氧化硅层；
利用厚度测量机台量测出所述第一氧化硅层的厚度THK1；
选择第一工艺条件，在所述硅衬底上沉积第一厚度的第二氧化硅层；
利用厚度测量机台量测出所述所述硅衬底表面的氧化硅层的厚度THK2；
选择第二工艺条件，在所述硅衬底上沉积第二厚度的第三氧化硅层，所述第二工艺条件与所述第一工艺条件相同，所述第二厚度与所述第一厚度相同；
利用厚度测量机台量测出所述所述硅衬底表面的氧化硅层的厚度THK3；
进行数据分析，计算出硅衬底表面硅的氧化带来的氧化硅厚度的增量ΔTHKox，然后计算出硅衬底表面硅损耗的厚度ΔTHKSi。
2.如权利要求1所述的监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，其特征在于：所述硅衬底为硅材质的控档片。
3.如权利要求1所述的监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，其特征在于：硅衬底表面硅的氧化带来的氧化硅厚度的增量ΔTHKox=（THK2-THK1）-（THK3-THK2）。
4.如权利要求1所述的监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，其特征在于：硅衬底表面硅损耗的厚度ΔTHKSi=k*ΔTHKox，k为第一工艺条件下氧化硅和硅的转换系数。
5.如权利要求4所述的监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，其特征在于：第一工艺条件下氧化硅和硅的转换系数为1/2。
6.如权利要求1所述的监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，其特征在于：所述第一工艺条件为氧化硅等离子体增强原子层沉积工艺。
7.如权利要求1所述的监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，其特征在于：所述第一工艺条件为氧化硅亚常压化学气相沉积。
8.如权利要求6或7中所述的监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，其特征在于：所述第一工艺条件中还包括工艺温度、反应气体流量、反应压力、射频功率的参数。
9.如权利要求1所述的监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，其特征在于：所述第一厚度为
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