[发明专利]一种Flash器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种Flash器件及其制备方法，通过仅去除位于字线带状接触区的字线带上表面的氮化硅层，于字线带顶部形成金属硅化物层，即通过增强带状单元接触孔内的金属材料与字线带上形成的金属硅化物之间的欧姆接触来降低字线带的接触电阻，相比较现有技术中制备的Flash器件降低了字线带的接触电阻，进而提高Flash器件编程（写）操作能力和擦写效率，同时有效的改善电容电阻延迟，进一步的提高Flash器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种Flash器件及其制备方法。

背景技术

非易失性存储器（Non-volatile memory简称NVM）由于具有可多次进行数据的存入、读取、擦除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此，非易失性存储器被广泛采用在个人电脑和电子设备等。

目前，随着半导体技术的不断发展，非易失性存储器（NVM）的技术节点不断缩小，当器件尺寸按比例缩小至单元尺寸时，字线带状接触区（Word line strap contact area，简称WL strap CT area）中带状单元接触孔内的金属材料与字线带之间的接触电阻（contact resistance）偏大而影响到存储器的性能，图1是现有技术中字线带状接触区的结构示意图，如图1所示，字线带状接触区中带状单元接触孔3内的金属材料与字线带2接触，由于带状单元接触孔3中的金属材料与字线带2的欧姆接触不强，导致字线带的电阻偏大，进而引起电容电阻（resistance capacitance简称RC）延迟、存储单元编程（cell PGM）及擦除速度（Erase speed）降低等影响存储器性能的问题。

因此，如何降低字线带的电阻从而提高存储器的性能成为本领域技术人员致力研究的方向。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明公开一种Flash器件及其制备方法，以解决现有技术中，因字线带状接触区中带状单元接触孔内的金属材料与字线带的欧姆接触不强，导致字线带电阻偏大的问题。

为了实现上述目的，本申请记载了一种Flash器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一设置有字线带状接触区和存储单元器件区的衬底；

于所述衬底的表面依次沉积多晶硅层和氮化硅层后，部分去除所述氮化硅层和所述多晶硅层至所述衬底的表面，以在位于所述存储单元器件区中的衬底上形成多晶硅栅，在位于字线带状接触区中的衬底上形成字线带，且剩余的氮化硅层覆盖所述多晶硅栅和所述字线带的上表面；

仅去除位于所述字线带状接触区中剩余的氮化硅层，并继续进行轻掺杂工艺；

沉积一侧墙薄膜，且该侧墙薄膜将所述字线带状接触区和存储单元器件区暴露的表面予以覆盖；

继续进行源漏极制备工艺；

去除位于所述字线带上表面的侧墙薄膜后，继续沉积一金属层；

继续第一退火工艺，使得部分所述金属层与所述字线带反应，以于所述字线带顶部生成一金属硅化物层；

去除剩余的金属层。

上述的Flash器件的制备方法，其中，仅去除位于所述字线带状接触区中剩余的氮化硅层的工艺包括:

于所述衬底上方涂覆一抗反射涂层后，回蚀所述抗反射涂层以将位于所述多晶硅栅和所述字线带上表面的剩余氮化硅层的上表面及其侧壁予以暴露；

继续旋涂光刻胶覆盖所述剩余的抗反射涂层的上表面以及所述剩余氮化硅层的上表面及其侧壁；

采用图案化工艺去除位于字线带状接触区的光刻胶后，刻蚀位于所述字线带上表面的氮化硅层，以将所述字线带的上表面予以暴露后，并去除剩余的抗反射涂层以及剩余的光刻胶。