[发明专利]改善薄膜均匀性的装置及方法在审
| 申请号： | 201410110057.7 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103871853A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周晓强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/70 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 薄膜 均匀 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善薄膜均匀性的装置，包括：反应腔室，位于所述反应腔室中的多个气体喷嘴，其特征在于，所述气体喷嘴的一端连接于所述反应腔室，另一端在所述反应腔室中的方向可以自由调节。
2.如权利要求1所述的改善薄膜均匀性的装置，其特征在于，所述气体喷嘴与所述反应腔室相连的部分为圆形。
3.如权利要求1所述的改善薄膜均匀性的装置，其特征在于，所述装置应用于高密度等离子体化学气相沉积。
4.如权利要求1所述的改善薄膜均匀性的装置，其特征在于，所述反应腔室中还设置有放置半导体衬底的基台。
5.如权利要求4所述的改善薄膜均匀性的装置，其特征在于，所述气体喷嘴位于所述基台的四周。
6.如权利要求5所述的改善薄膜均匀性的装置，其特征在于，根据所述基台与所述气体喷嘴的位置关系调整不同气体喷嘴的方向。
7.如权利要求6所述的改善薄膜均匀性的装置，其特征在于，在所述装置成膜之前，手动调整所述气体喷嘴的方向。
8.一种改善薄膜均匀性的方法，其特征在于，采用权利要求1～7中任意一项所述的改善薄膜均匀性的装置来形成薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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